集成电路结构及其制造方法技术

技术编号：34287335 阅读：21 留言：0更新日期：2022-07-27 08:38

一种集成电路结构包括下部互连结构、第一半导体鳍片、下部栅极结构、第一源极/漏极结构、上部栅极结构、及上部互连结构。第一半导体鳍片在下部互连结构之上。下部栅极结构在第一半导体鳍片下方，且延伸跨越第一半导体鳍片。第一源极/漏极结构在第一半导体鳍片中且在下部栅极结构的相对侧上。第一源极/漏极结构与下部栅极结构形成下部晶体管。上部栅极结构在第一半导体鳍片之上且延伸跨越第一半导体鳍片。上部栅极结构与第一源极/漏极结构形成上部晶体管。上部互连结构位于上部栅极之上。上部互连结构位于上部栅极之上。上部互连结构位于上部栅极之上。

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【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及其制造方法

[0001]本揭露是关于一种集成电路结构，特别是关于一种集成电路结构的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业经历了快速增长。集成电路材料及设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路。与先前一代相比，每一代都有更小且更复杂的电路。

技术实现思路

[0003]于一些实施方式中，集成电路结构包含下部互连结构、第一半导体鳍片、下部栅极结构、多个第一源极/漏极结构、上部栅极结构以及上部互连结构。第一半导体鳍片位于下部互连结构的上方。下部栅极结构位于第一半导体鳍片下方且延伸跨越第一半导体鳍片。多个第一源极/漏极结构位于第一半导体鳍片中，且位于下部栅极结构的相对侧上。第一源极/漏极结构与下部栅极结构形成下部晶体管。上部栅极结构位于第一半导体鳍片的上方且延伸跨越第一半导体鳍片。上部栅极结构与第一源极/漏极结构形成上部晶体管。上部互连结构位于上部栅极的上方。
[0004]于一些实施方式中，集成电路结构包含第一互连结构、第一栅极结构、第一半导体鳍片、第一半导体基材、第二半导体鳍片、第二栅极结构以及第二互连结构。第一栅极结构在第一互连结构的上方的第一位准高度处延伸。第一半导体鳍片延伸于第一栅极结构的上方且跨越第一栅极结构。第一半导体基材位于半导体鳍片上方。第二半导体鳍片延伸于第一半导体基材的上方。第二栅极结构在第二半导体鳍片的上方的第二位准高度处延伸且跨越第二半导体鳍片，第二位准高度高于第一位准高度。第二互连结构，位于第二栅极结构上...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：一下部互连结构；一第一半导体鳍片，位于该下部互连结构的上方；一下部栅极结构，位于该第一半导体鳍片下方且延伸跨越该第一半导体鳍片；多个第一源极/漏极结构，位于该第一半导体鳍片中，且位于该下部栅极结构的相对侧上，该些第一源极/漏极结构与该下部栅极结构形成一下部晶体管；一上部栅极结构，位于该第一半导体鳍片的上方且延伸跨越该第一半导体鳍片，该上部栅极结构与该些第一源极/漏极结构形成一上部晶体管；以及一上部互连结构，位于该上部栅极的上方。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该上部栅极结构与该下部栅极结构重叠。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包含自该下部栅极结构向下延伸至该下部互连结构的一下部栅极通孔及自该上部栅极结构向上延伸至该上部互连结构的一上部栅极通孔。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包含一抵接触点，该抵接触点将该下部栅极结构电连接至该些第一源极/漏极结构中的一者。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，进一步包含：平行于该第一半导体鳍片延伸的一第二半导体鳍片；以及第二源极/漏极结构，其在该第二半导体鳍片中且在该下部栅极结构的该些相对侧上，该下部栅极结构及该上部栅极结构进一步延伸跨越该第二半导体鳍片。6.一种集成电路结构，其特征在于，包含：一第一互连结构；一第一栅极结构，在该第一互连结构的上方的一第一位准高度处延伸；一第一半导体鳍片，延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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