半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。保护衬垫层位于源极/漏极接点的顶部的侧表面上，但不位于源极/漏极接点的底部的侧表面上。源极/漏极接点的底部的侧表面上。源极/漏极接点的底部的侧表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例一般关于半导体装置，特别关于场效晶体管如平面场效晶体管、三维鳍状场效晶体管、或全绕式栅极装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺一般有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂度。
[0003]举例来说，随着半导体装置持续缩小，栅极接点与附近的源极/漏极接点之间可能更容易发生桥接(如电性短路)。不幸的是，避免这些桥接问题的现有方法可能会增加电阻及/或缩小源极/漏极外延着陆区。如此一来，会劣化装置效能。
[0004]虽然制作半导体装置的现有方法通常适用，但无法符合所有方面的需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术一实施例关于半导体装置。半导体装置包括一或多个主动区结构，各自在垂直方向中垂直地向外凸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一或多个主动区结构，各自在垂直方向中垂直地向外凸出一基板，并在一第一水平方向中水平延伸；一源极/漏极构件，在该垂直方向中位于所述一或多个主动区结构上；一源极/漏极接点，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡国强，林昕篁，陈志辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：