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本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。保护...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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