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一种集成电路结构包括下部互连结构、第一半导体鳍片、下部栅极结构、第一源极/漏极结构、上部栅极结构、及上部互连结构。第一半导体鳍片在下部互连结构之上。下部栅极结构在第一半导体鳍片下方，且延伸跨越第一半导体鳍片。第一源极/漏极结构在第一半导体鳍...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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