半导体装置结构制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含第一介电部件，沿着第一方向延伸，第一介电部件包含第一介电层，第一介电层具有第一侧壁以及相对第一侧壁的第二侧壁；第一半导体层，与第一侧壁相邻设置，第一半导体层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；第二介电部件，沿着第一方向延伸，第二介电部件与第一半导体层相邻设置；以及第一栅极电极层，围绕第一半导体层的至少三个表面，且第一气隙露出第一栅极电极层的一部分。一栅极电极层的一部分。一栅极电极层的一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置结构，尤其涉及包含叉片式晶体管的半导体装置结构。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业经历了指数性的成长。现代科技在集成电路材料与设计上的进步已产生了好几世代的集成电路，其中每一世代与上一世代相比都具有更小、更复杂的电路。在集成电路的发展过程中，功能密度(functional density)(也就是说，单位芯片面积的互连装置数目)大抵上会增加而几何尺寸(geometry size)(也就是说，即可使用工艺生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化的过程总体上会增加生产效率并降低相关成本而提供助益。此微缩化也带来了新的挑战。举例来说，使用纳米线(nanowire)通道的晶体管已被提出，以实现增加装置密度、提高装置中的载子迁移率以及驱动电流。随着装置尺寸的减小，仍需不断改善集成电路的工艺以及制造。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置结构，包括第一介电部件，沿着第一方向延伸，第一介电部件包括第一介电层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，包括：一第一介电部件，沿着一第一方向延伸，该第一介电部件包括一第一介电层，该第一介电层具有一第一侧壁以及相对该第一侧壁的一第二侧壁；一第一半导体层，与该第一侧壁相邻设置，该第一半导体层沿着垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：余佳霓，江国诚，黄懋霖，朱龙琨，徐崇威，卢俊甫，王志豪，程冠伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：