互连结构制造技术

本公开提出一种互连结构。示例性的互连结构包括第一导电部件，具有第一厚度；第一介电材料，与第一导电部件相邻设置，其中第一介电材料具有大于第一厚度的第二厚度；第二导电部件，与第一介电材料相邻设置；第一蚀刻停止层，设置在第一导电部件上；第二蚀刻停止层，设置在第一介电材料上；以及第二介电材料，设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上，其中第二介电材料与第一介电材料接触。在一些实施例中，第一蚀刻停止层包括第一材料，且第二蚀刻停止层包括不同于第一材料的第二材料。停止层包括不同于第一材料的第二材料。停止层包括不同于第一材料的第二材料。

【技术实现步骤摘要】
互连结构


[0001]本专利技术实施例涉及导体装置，尤其涉及具有互连结构的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工业导入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(IC)，形成IC的元件的密度增加，而部件或元件之间的尺寸、大小和间距减少。过去，这种减少仅受到光刻定义结构的能力的限制，具有较小尺寸的装置几何形状产生了新的限制因素。随着半导体装置尺寸的减少，需要具有减少的线间漏电流(line to line leakage)的改良半导体装置。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种互连结构包括：第一导电部件，具有第一厚度；第一介电材料，与第一导电部件相邻设置，其中第一介电材料具有大于第一厚度的第二厚度；第二导电部件，与第一介电材料相邻设置；第一蚀刻停止层，设置在第一导电部件上；第二蚀刻停止层，设置在第一介电材料上；以及第二介电材料，设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层上，其中第二介电材料与第一介电材料接触。在一些实施例中，第一蚀刻停止层包括第一材料，且第二蚀刻停止层包括不同于第一材料的第二材料。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种互连结构，包括：一第一导电部件，具有一第一厚度；一第一介电材料，与该第一导电部件相邻设置，其中该第一介电材料具有大于该第一厚度的一第二厚度；一第二导电部件，与该第一介电材料相邻设置；一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧捷，吴杰翰，姚欣洁，蔡政勋，李忠儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：