【技术实现步骤摘要】
一种制造内连线结构的装置和方法
[0001]本公开的实施例是有关于一种制造内连线结构的装置和方法。
技术介绍
[0002]后段工艺(back end of line；BEOL)是集成电路(integrated circuit；IC)制造的一部分，其中个别器件(例如，晶体管、电容器、电阻器等等)与半导体晶片上的布线(例如，金属化物层)互连。BEOL工艺中所利用的常见金属包含铜、钽、钛、钨、铝和/或其组合。BEOL通常自第一层金属沉积在半导体晶片上时开始。BEOL包含用于芯片到封装连接的绝缘层(例如，介电层、钝化层等等)、金属层、接合位点等等。
技术实现思路
[0003]本公开的实施例包含一种用于制造半导体器件的装置。装置可包含腔室、位于腔室中的夹盘以及与夹盘物理连接的偏置电源。装置可包含位于夹盘和偏置电源上方的靶材组件和位于靶材组件上方的磁控管总成。磁控管总成可包含多个外部磁控管和多个内部磁控管，且多个外部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距可与多个内部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距不同。
[0004...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的装置，所述装置包括：腔室；夹盘，位于所述腔室中；偏置电源，与所述夹盘物理连接；靶材组件，位于所述夹盘和所述偏置电源上方；以及磁控管总成，位于所述靶材组件上方，其中所述磁控管总成包含多个外部磁控管和多个内部磁控管，且所述多个外部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距与所述多个内部磁控管中的每一邻近磁控管之间的间距不同。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的装置，其中所述多个外部磁控管包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分中的每一邻近磁控管之间的间距与所述第二部分中的每一邻近磁控管之间的间距不同。3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的装置，更包括：盖环，与所述夹盘的边缘耦合，其中所述盖环包含比第二腿部部分更短的第一腿部部分。4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的装置，其中所述多个内部磁控管包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分中的每一邻近磁控管之间的间距与所述第二部分中的每一邻近磁控管之间的间距不同。5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的装置，其中所述第一部分中的每一邻近磁控管之间的间距是一致的，而所述第二部分中的每一邻近磁控管之间的间距是不一致的。6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的装置，其中所述第一多...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宇庭，程仲良，郑文正，刘哲宏，沈宇成，倪其聪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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