结合工具及结合方法技术

本发明专利技术实施例的一种结合工具包括气体供应管线，所述气体供应管线可直接在和一个或多个气体供应罐相关联的阀门与处理腔室之间延伸，使得气体供应管线在无任何中间阀门或其他类型的结构的情况下不间断，否则所述中间阀门或其他类型的结构可能会导致在处理腔室与和所述一个或多个气体供应罐相关联的阀门之间的气体供应管线中的压力累积。气体供应管线中的压力可维持在处理腔室中的压力或接近处理腔室中的压力，使得经由气体供应管线被提供到处理腔室的气体不会导致处理腔室中的压力不平衡，否则所述压力不平衡可能会导致将在处理腔室中结合的半导体衬底之间的提早接触或过早接触。早接触。早接触。

Combination tools and methods

【技术实现步骤摘要】
结合工具及结合方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种结合工具及结合方法。

技术介绍

[0002]半导体行业中的结合是一种可用于形成堆叠式半导体器件及三维集成电路的技术。结合的一些实例包括晶片到晶片结合、管芯到晶片结合及管芯到管芯结合。结合技术的一些实例包括熔融结合、共晶结合及混合结合。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，一种结合工具包括处理腔室。所述结合工具包括泵，所述泵被配置成将所述处理腔室抽吸到结合压力。所述结合工具包括气体供应系统，所述气体供应系统被配置成将结合气体经由所述气体供应系统的气体供应管线提供到所述处理腔室，其中所述气体供应管线直接在阀门与所述处理腔室的气体入口之间延伸，所述阀门被配置成控制所述结合气体从结合气体供应罐经由所述气体供应管线到所述处理腔室的流量。
[0004]根据本专利技术的实施例，一种结合方法包括将第一半导体衬底及第二半导体衬底定位在结合工具的处理腔室中。所述方法包括将结合气体经由所述结合工具的气体供应系统以第一压力提供到所述处理腔室，以对所述处理腔室进行清洗。所述方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结合工具，包括：处理腔室；泵，被配置成将所述处理腔室抽吸到结合压力；以及气体供应系统，被配置成将结合气体经由所述气体供应系统的气体供应管线提供到所述处理腔室，其中所述气体供应管线直接在阀门与所述处理腔室的气体入口之间延伸，所述阀门被配置成控制所述结合气体从结合气体供应罐经由所述气体供应管线到所述处理腔室的流量。2.根据权利要求1所述的结合工具，其中所述气体供应管线被配置成在所述气体供应管线中维持与所述处理腔室中的所述结合压力近似相等的压力。3.根据权利要求1所述的结合工具，其中所述气体供应管线被配置成在所述气体供应管线中维持一压力，使得所述气体供应管线中的所述压力与所述处理腔室中的所述结合压力之间的压力差介于近似0毫巴到小于近似5毫巴的范围内。4.根据权利要求1所述的结合工具，其中所述阀门包括可变阀门，所述可变阀门被配置成选择性地增大或减小所述结合气体从所述结合气体供应罐经由所述气体供应管线到所述处理腔室的流动速率，以在结合操作期间使所述处理腔室中的压力维持处于接近恒定的压力。5.根据权利要求1所述的结合工具，其中所述气体供应管线被配置成将所述结合气体经由所述气体供应管线以第一压力提供到所述处理腔室，所述第一压力近似等于所述处理腔室中的第一半导体衬底与所述处理腔室中的第二半导体衬底之间的第二压力。6.一种结合方法，包括：将第一半导体衬底及第二半导体衬底定位在结合工具的处理腔室中；将结合气体经由所述结合工具的气体供应系统以第一压力提供到所述处理腔室，以对所述处理腔室进行清洗；将所述处理腔室加压到第二压力，其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦豪，陈君仪，王乙翕，周银铜，纪元兴，林生元，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：