一种化学机械平坦化的系统及方法，化学机械平坦化系统包括在化学机械平坦化制程期间旋转的化学机械平坦化衬垫。化学机械平坦化头在制程期间使半导体晶圆与化学机械平坦化衬垫接触。浆料供应系统在制程期间将浆料供应至衬垫。衬垫调节器在制程期间调节衬垫...

一种晶体管栅极的形成方法包含形成第一及第二鳍片，各个鳍片包含交替堆叠的第一及第二半导体层；在第一及第二鳍片上方形成虚设栅极结构，及在虚设栅极结构的任一侧上形成栅极间隔物；移除虚设栅极结构以形成第一及第二栅极沟渠；移除第一半导体层使得第二...

本文描述一种半导体的制造方法。制造方法中提到的植入遮罩形成技术包括通过非微影术技术提高植入遮罩中图案的初始深宽比，其可包括在植入遮罩上形成抗硬化层。可通过光学微影术技术将图案形成为初始深宽比，初始深宽比降低或最小化在图案形成期间图案塌陷...

本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。此种方法包括在第一电压域中形成第一电容器及在第一电压域中形成第二电容器。第一电容器与第二电容器并联连接。在第二电压域中形成第三电容器及第四电容器。第三电容器与第四电容器串联连接。第一电容器及第二电容...

揭示一种快闪记忆体元件及其制造方法与其阵列。快闪记忆体元件位于基材上，包含浮动栅极电极、位于基材与浮动栅极电极之间的穿隧介电层、长度较小的控制栅极电极、以及位于浮动栅极电极与长度较小的控制栅极之间的控制栅极介电层。长度较小的控制栅极的主...

一种半导体元件与其制作方法，半导体元件包含：导电特征、设置于导电特征上方的介电层、以及延伸穿透介电层的接触特征。接触特征具有上部与下部。上部是以间隔层从介电层分离。下部是电性地耦接至导电特征并且与介电层接触。部是电性地耦接至导电特征并且...

一种集成电路及其结构与程序化半导体元件的方法，特别是反熔丝结构及具有此等反熔丝结构的IC元件，其中反熔丝结构包括介电反熔丝结构，介电反熔丝结构形成于主动区域上且具有：第一介电反熔丝电极；第二介电反熔丝电极，第二介电反熔丝结构平行于第一介...

一种集成电路结构与集成电路只读记忆体结构的制造方法，集成电路只读记忆体结构包括第一只读记忆体晶体管与第二只读记忆体晶体管。第一只读记忆体晶体管具有第一栅极电极、第一源极与第一漏极。第二只读记忆体晶体管具有第二栅极电极、第二源极与第二漏极...

一种倍缩光罩容器及微影系统，倍缩光罩容器包含底座，包含第一表面；以及遮盖，包含第二表面，遮盖以第一表面朝向第二表面的方式耦合至底座。底座与遮盖形成包含倍缩光罩的内部空间。此倍缩光罩容器包含限制机构配置于内部空间中，以固定内部空间中的倍缩...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，其包含配置在衬底或第一介电层内的导电结构。第一阻挡层配置在导电结构的最外部侧壁和底部表面上。第二阻挡层配置在第一阻挡层的外部表面上。第二阻挡层将第一阻挡层与衬底或第一介电层隔开。第二介电层配置在衬...

一种形成集成芯片的方法包括在半导体晶片的中心区之上形成多个半导体器件。半导体晶片包括在侧向上环绕中心区的外围区及设置在外围区内的圆周边缘。半导体晶片包括沿着圆周边缘设置的缺口。在半导体器件之上形成层间介电(ILD)层堆叠，且ILD层堆叠...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶片、图像传感器及其形成方法。图像传感器包括衬底。光检测器位于衬底中且包含延伸到衬底的第一侧中的半导体保护环。浅沟槽隔离结构延伸到衬底的第一侧中。外部隔离结构延伸到与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧中到达...

一种集成电路、像素传感器及其形成方法。像素传感器包含衬底，所述衬底具有与背侧相对的前侧。图像传感器元件包括设置在衬底内的有源层，其中有源层包括锗。抗反射涂层(ARC)结构上覆于衬底的背侧。ARC结构包含上覆于衬底的背侧的第一介电层、上覆...

本揭露提出一种影像感测器装置与其形成方法，影像感测器装置包括半导体层，其具有第一表面与第二表面，第一表面相对于第二表面。此装置包括设置在第一表面上的导电结构，并且在导电结构和第一表面之间设置有介电层。此装置包括第一介电层，设置于半导体基...

本发明提供一种集成电路(IC)芯片的接口和布置其接口的方法，所述接口包含形成为对应于并行总线的接触元件图案的多个接触元件。接触元件以行和列的阵列布置，且划分成传输群组和接收群组。传输群组的接触元件具有第一接触元件序列，且接收群组的接触元...

一种极紫外光设备与其运作方法，极紫外光设备包括腔室、极紫外光源以及自由基源。极紫外光源设置向腔室内发射出极紫外光束。自由基源位于腔室内并邻近于极紫外光束通过的路径上。自由基源设置以向路径发射多个自由基。自由基源设置以向路径发射多个自由基...

本公开总体涉及用于全方位实时检测光刻特性的系统和方法。一种极紫外(EUV)光刻系统通过用激光照射液滴来生成EUV光。该系统包括收集器以及耦合到收集器的多个振动传感器。振动传感器生成指示来自激光脉冲的冲击波和来自碎片的撞击的传感器信号。该...

本公开涉及具有背面栅极隔离结构的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括沿第一方向垂直布置并彼此间隔开的纳米结构。半导体器件还包括具有均匀成分的介电材料的介电鳍结构，以及位于纳米结构的相反侧的隔离结构。此外，半导体器件还包括环绕纳米结...

本申请涉及存储器中计算累加器。存储器中计算(CIM)设备被配置为根据应用的类型确定至少一个输入，并且根据训练结果或用户的配置确定至少一个权重。CIM设备从输入的最高有效位(MSB)到输入的最低有效位(LSB)执行基于输入和权重的位串行乘...

一种像素感测器及其形成方法和像素阵列，像素感测器可包含垂直排列或垂直堆叠的光二极管区和浮置扩散区。垂直排列准许光二极管区相对于水平排列占用给定尺寸的像素感测器的较大区域，其增加光二极管区可收集光子的区域。此增加像素感测器的效能，且可减小...