化学机械平坦化的系统及方法技术方案

一种化学机械平坦化的系统及方法，化学机械平坦化系统包括在化学机械平坦化制程期间旋转的化学机械平坦化衬垫。化学机械平坦化头在制程期间使半导体晶圆与化学机械平坦化衬垫接触。浆料供应系统在制程期间将浆料供应至衬垫。衬垫调节器在制程期间调节衬垫。抽吸系统自衬垫移除衬垫调节器碎屑及浆料。统自衬垫移除衬垫调节器碎屑及浆料。统自衬垫移除衬垫调节器碎屑及浆料。

【技术实现步骤摘要】
化学机械平坦化的系统及方法


[0001]本揭示内容涉及化学机械平坦化领域。

技术介绍

[0002]对电子装置(包括智能手机、平板计算机、桌上型计算机、膝上型计算机及许多其他类型的电子装置)的计算能力不断提高的需求一直存在。集成电路为该些电子装置提供计算能力。提高集成电路的计算能力的一种方法为增加给定面积的半导体衬底中晶体管及其他集成电路特征的数量。因此，已开发许多半导体制程及技术以减小集成电路中的特征的尺寸。
[0003]化学机械平坦化为允许使用薄膜材料的制程，该薄膜材料可实现相对较小尺寸的特征。化学机械平坦化可以在薄膜沉积及图案化制程之后使半导体晶圆的表面平坦化。化学机械平坦化利用化学及机械制程来平坦化半导体晶圆。化学机械平坦化虽然非常有益，但亦容易受到设备故障的影响，从而导致半导体晶圆损坏。

技术实现思路

[0004]在一些实施例中，一种化学机械平坦化方法包括以下步骤：通过使半导体晶圆与旋转的CMP衬垫接触来执行CMP制程；及在CMP制程期间，利用衬垫调节器调节CMP衬垫。方法包括以下步骤：在CMP制程期间，利用浆料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械平坦化的方法，其特征在于，包含：利用使一半导体晶圆与一旋转的化学机械平坦化衬垫接触，来执行一化学机械平坦化制程；在该化学机械平坦化制程期间，利用一浆料供应系统将一浆料供应至该化学机械平坦化衬垫；在该化学机械平坦化制程期间，利用一衬垫调节器调节该化学机械平坦化衬垫；及在该化学机械平坦化制程期间，利用一抽吸系统自该化学机械平坦化衬垫移除衬垫调节器碎屑及该浆料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在自该化学机械平坦化衬垫移除该衬垫调节器碎屑及该浆料之后，自该浆料过滤该衬垫调节器碎屑。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中调节该衬垫的步骤包括：旋转该衬垫调节器；及按压该衬垫调节器与该化学机械平坦化衬垫接触。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该衬垫调节器碎屑包括钻石颗粒。5.一种化学机械平坦化的系统，其特征在于，包含：一平台，用以保持一化学机械平坦化衬垫且旋转该化学机械平坦化衬垫；一化学机械平坦化头，用以保持一半导体晶圆且在该化学机械平坦化衬垫旋转时使该半导体晶圆与该化学机械平坦化衬垫接触；一浆料供应系统，用以在该半导体晶圆与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：许峻维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：