一种影像感测器，包括一阵列的多个影像像素和多个黑色电平校正像素。每个黑色电平校正像素包括：黑色电平校正像素光电检测器、黑色电平校正像素感测电路、以及黑色电平校正像素光学器件组合件其配置为阻挡照射到黑色电平校正像素光电检测器的光。每个黑色...

本发明的实施例提供了一种热传感器，包括：单个第一温度敏感器件，包括单个带隙热感测器件；第一电流源，通过第一开关连接至第一温度敏感器件，第一电流源适于通过第一开关器件使第一值的电流通过带隙热感测器件；第二电流源，通过第二开关连接至第一温度...

制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层...

本发明提供一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含一鳍板结构，位于一半导体基底之上。半导体装置结构亦包含一栅极堆叠，覆盖鳍板结构的一部分。半导体装置结构更包含一间隔元件，位于栅极堆叠的一侧壁之上。上述间隔元件包括：一第一层及位...

一种具有外延源极与漏极的集成电路被提供，其可降低栅极烧毁并提高开关速度，因而适合于高电压的应用。此集成电路包括具有高电压N型阱高电压P型阱的半导体基板。此集成电路亦包括高电压装置位于该半导体基板之上。此高电压装置包括外延P型源极设置于高...

提供了制造工艺和器件，其中，在衬底内形成第一开口。使用第二蚀刻工艺将第一开口重塑为第二开口。利用自由基蚀刻实施第二蚀刻工艺，其中，自由基蚀刻利用中性离子。因此，减小衬底的推动。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。及其制造方法。及...

半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及设置在第一沟道和第二沟道上方的栅极结构。该栅极结构包括栅极介电层和栅电极层。第一源极包括第一晶体半导体层并且第二源极包括第二...

本公开实施例提供一种半导体器件、集成电路及其制造方法。一种半导体器件包括栅极层、沟道材料层、第一介电层及多个源极/漏极端子。栅极层设置在衬底之上。沟道材料层设置在栅极层之上，其中沟道材料层的材料包括第一低维材料。第一介电层位于栅极层与沟...

在本发明实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、栅极结构、源极区、漏极区、内连线结构、存储单元及导通孔。半导体衬底具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。栅极结构设置在半导体衬底的第一侧之上。源极区及漏极区在半导体衬底中设置在栅极结构旁边。内...

本揭露提供铁电存储器器件、铁电存储器器件的制造方法以及半导体芯片。铁电存储器器件包括栅极、铁电层、通道层、第一阻挡层、第二阻挡层与一对源极/漏极。铁电层设置于栅极的一侧。通道层经由铁电层而电容耦合至栅极。第一阻挡层与第二阻挡层设置于铁电...

提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括底部电极、第一数据储存层、第二数据储存层、界面导电层和顶部电极。第一数据储存层设置在底部电极上并与底部电极接触。第二数据储存层设置在第一数据储存层之上。界面导电层设置在第一数据储存层和第二数...

一种三维存储器器件的制造方法包括：图案化出延伸穿过第一导电线的第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁及底表面沉积存储膜；在存储膜之上沉积沟道层，所述沟道层沿着第一沟槽的侧壁及底表面延伸；在沟道层之上沉积与沟道层接触的第一介电层，以填充第一沟槽；图...

一种半导体封装具有中心区及环绕所述中心区的外围区。所述半导体封装包括多个管芯、包封体及重布线结构。所述多个管芯包括功能性管芯及多个第一虚设管芯。功能性管芯设置在中心区中。多个第一虚设管芯设置在外围区中。重布线结构在所述多个管芯之上设置在...

提供一种存储器装置。存储器装置包括基底、自旋轨道扭矩层和磁性穿隧接面。磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，包含布置在衬底上方和/或衬底内的源极区和漏极区。此外，浅沟槽隔离(STI)结构布置在衬底内和源极区与漏极区之间。栅极电极布置在衬底上方、STI结构上方以及源极区与漏极区之间。栅极电极的部分延伸到S...

本申请公开了具有栅极切割特征的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供具有衬底、第一多个沟道构件、第二多个沟道构件、接合第一多个沟道构件的第一栅极结构、接合第二多个沟道构件的第二栅极结构的工件。沟道构件、设置在第一和第二栅极结构...

本公开涉及提供多个阈值电压的器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体工件上形成电介质层、在电介质层上形成第一偶极材料的第一图案化层、并且在第一温度下执行第一热驱入操作，以在电介质层的位于第一图案化层下面的第一部分中形成扩散特征。该方法还...

一个存储器装置包括衬底、设置在衬底之上的晶体管、设置在晶体管之上且电性连接至晶体管的内连线结构，以及设置在内连线结构的两个相邻的金属化层之间的存储器堆叠。存储器堆叠包括设置在衬底之上且电性连接到位线的底部电极、设置在底部电极之上的存储器...

本揭露涉及一种材料管理方法以及材料管理系统方法。材料管理方法包括：将含有材料的载体存储在存储装置中；在材料处于存储装置中时将存储装置的环境数据记录到数据库；基于环境数据产生对载体中的材料的预报；从半导体制造工具接收对材料的请求；以及基于...

本公开的一个或多个实施例阐述一种人工智能辅助衬底缺陷修复装置及方法。人工智能辅助缺陷修复装置采用物体检测算法。基于由位于不同相应位置处的检测器获取的多个图像，检测器捕获包括缺陷的物体的各种图。基于所述多个图像获得缺陷及物体的组成信息以及...