存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括底部电极、第一数据储存层、第二数据储存层、界面导电层和顶部电极。第一数据储存层设置在底部电极上并与底部电极接触。第二数据储存层设置在第一数据储存层之上。界面导电层设置在第一数据储存层和第二数据储存层之间。顶部电极设置在第二数据储存层之上。间。顶部电极设置在第二数据储存层之上。间。顶部电极设置在第二数据储存层之上。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本揭露实施例涉及存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]半导体装置和集成电路(IC)通常在单个半导体芯片上制造。芯片的多个管芯可以在芯片级与其他半导体装置或管芯一起加工和封装，并且已经为芯片级封装开发了各种技术。用于制造半导体装置和IC的半导体工艺继续朝着不断减小的装置尺寸增加装置密度和更多数量的半导体电子组件(例如，用于逻辑处理的晶体管和用于储存信息的存储器器)发展。例如，存储器器包括非易失性存储器装置，其中非易失性存储器装置即使在断电之后也能够保留数据。非易失性存储器装置包括电阻式随机存取存储器和/或相变随机存取存储器。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的一种存储器装置包括底部电极、第一数据储存层、第二数据储存层、界面导电层和顶部电极。第一数据储存层设置在底部电极上并与底部电极接触。第二数据储存层设置在第一数据储存层之上。界面导电层设置在第一数据储存层和第二数据储存层之间。顶部电极设置在第二数据储存层之上。
[0004]本专利技术实施例的一种存储器装置包括半导体装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：底部电极；第一数据储存层，设置在所述底部电极上，且与所述底部电极接触；第二数据储存层，设置在所述第一数据储存层之上；界面导电层，设置在所述第一数据储存层和所述第二数据储存层之间；以及顶部电极，设置在所述第二数据储存层之上。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一数据储存层的材料包括硫属化物材料。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二数据储存层的材料包括过渡金属氧化物。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述界面导电层的材料包括氮化钛、氮化钽或钨。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中沿着垂直于所述底部电极和所述第一数据储存层的堆栈方向的方向，所述底部电极的尺寸小于所述第一数据储存层的尺寸。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一数据储存层经配置为储存第一低电阻状态和第一高电阻状态，所述第二数据储存层经配置为储存第二低电阻状态和第二高电阻状态，其中所述第一数据储存层经配置为在所述第一低电阻状态和所述第一高电阻状态之间转变，而所述第二数据储存层经配置为保持在所述第二低电阻状态，且所述第二数据储存层经配置为在所述第二低电阻状态和所述第二高电阻状态之间转变，而所述第一数据储存层经配置为保持在所述第一低电阻状态，以及其中所述第二数据储存层在所述第二高电阻状态下的电阻值小于所述第一数据储存层在所述第一高电阻状态的电阻值，且所述第二数据储存层在所述第二低电阻状态下的电阻值实质上等于所述第一数据储存层在所述第一低电阻状态下的电阻值。7.一种存储器装置，包括：半导体装置，形成在衬底的表面区上；以及存储单元，位于所述半导体装置之上并与所述半导体装置电连接，其中所述存储单元包括：底部电极；相变层，设置在所述底部电极上并与所述底部电极接触；界面导电层，设置在所述相变层上，与所述相变层接触；电阻可变层，设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东颖，余绍铭，张开泰，江宏礼，陈佑升，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：