本申请公开了半导体器件中的接触件结构。公开了一种具有无衬里接触件结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域之间形成第一电介质层；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的...

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一衬底；电容器，位于第一衬底内；二极管结构，位于邻近电容器的第一衬底内；以及第一互连结构，位于电容器和二极管结构上方。第一互连结构的第一导电通孔将电容器电耦接至二极管结构。至二极管结构。至...

本发明实施例涉及用于向量光学图像模拟的多组件内核。根据本发明的一些实施例，一种增强布局图案的方法包含基于光刻系统的光学系统的照明源及所述光学系统的出射光瞳来确定所述光刻系统的所述光学系统的向量透射交叉系数(向量TCC)算子。所述方法还包...

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含沿第一方向延伸的第一有源区。所述半导体装置还包含沿所述第一方向延伸的第二有源区。所述半导体装置进一步包含沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第一栅极。所述第一栅极具有安置于所...

本发明实施例涉及半导体器件的触点及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体器件包括衬底上的第一栅极电极、所述第一栅极电极上的第一导电触点、所述第一导电触点上的蚀刻停止层ESL及延伸穿过所述ESL的第二导电触点。所述第一导电触点具有...

本申请涉及用于存储器设备的功率斜变顺序控制。公开了支持多个功率斜变顺序或模式的存储器设备。例如，电平移位器设备可操作地连接到存储器设备中的存储器宏。电平移位器设备接收至少一个选通信号。基于至少一个选通信号的状态，电平移位器设备输出一个或...

本公开涉及纳米结构FET半导体器件及其形成方法。实施例包括纳米结构器件和形成纳米结构器件的方法，包括处理工艺，该处理工艺在沉积之后扩展侧壁间隔件材料以闭合侧壁间隔件材料中的接缝。该处理工艺包括氧化退火和热退火，用于扩展侧壁间隔件材料并交...

本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极/漏极(LDD)区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极/漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件，包括：半导体衬底；半导体衬底之上的第一字线，第一字线为第一晶体管提供第一栅极电极；以及第一字线之上的第二字线。第二字线通过第一电介质材料与第一字线绝缘，并且第二字线为第二晶体管提供第二栅极电极...

本公开涉及制造半导体器件的方法。在形成图案的方法中，在底层之上形成第一图案，该第一图案包括主图案和横向突起，该横向突起的厚度小于主图案的厚度的25％；在第一图案之上形成硬掩模层；执行平坦化操作，以在不暴露横向突起的情况下暴露第一图案；通...

本申请提供了包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法。薄膜晶体管可以通过以下步骤来制造：在衬底之上的绝缘层中形成栅极电极；在栅极电极和绝缘层之上形成栅极电介质；在栅极电极之上形成有源层；以及形成源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电...

本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源...

本公开涉及隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法。一种半导体结构包括：布置在衬底上方的半导体层的堆叠；布置在半导体层的堆叠上方并且与其交错的金属栅极结构，金属栅极结构包括布置在栅极介电层上方的栅极电极；布置在半导体层的堆叠的第一侧壁...

一种用于控制化学机械平坦化的系统及方法，化学机械平坦化系统包括用以在化学机械平坦化制程中保持半导体晶圆的化学机械平坦化头。系统包括定位成在化学机械平坦化卸载了半导体晶圆之后撷取化学机械平坦化的影像的摄影机。控制系统分析影像以判定化学机械...

一种半导体器件封装的制造方法包括：在载体衬底上形成重布线结构；使用第一导电连接件将第一内连线结构的第一侧耦合到重布线结构的第一侧，其中第一内连线结构包括芯体衬底，其中第一内连线结构在第一内连线结构的与第一内连线结构的第一侧相对的第二侧上...

本发明实施例提供一种半导体组件及其形成方法。一种半导体组件包括：重布线结构；集成电路封装，贴合到重布线结构的第一侧；以及芯体衬底，利用第一导电连接件及第二导电连接件耦合到重布线结构的第二侧。第二侧与第一侧相对。半导体组件还包括：包含介电...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：衬底；设置在所述衬底之上的第一管芯；贴合到所述第一管芯的前侧的金属线；和沿着所述第一管芯的后侧设置且被配置成控制所述第一管芯的操作角度的第一多个管芯止挡凸块。所述第一多个管芯止挡...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括：第一栅极结构，具有第一栅极节距；第一沟道区域，位于所述第一栅极结构之下；和第一源极/漏极(S/D)特征，接触所述第一沟道区域并且具有第一S/...

本公开总体涉及与重分布层的凸块集成。一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成互连结构；在互连结构之上形成第一钝化层；在第一钝化层之上并且与互连结构电耦合地形成第一导电特征；在第一导电特征和第一钝化层之上共形地形成第二钝化层；在第二...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：设置在半导体衬底之上的有效沟道层的第一堆叠和有效沟道层的第二堆叠，其中该第二堆叠包括虚设沟道层，并且该第一堆叠没有任何虚设沟道层；与第一堆叠和第二堆叠接合的栅极结构；以及第一S/D特...