一种半导体结构的形成方法，包括：在基板的背侧上执行第一蚀刻制程，以露出虚设接触结构；执行第一沉积制程以在虚设接触结构周围沉积第一介电层；执行第二沉积制程以在第一介电层上沉积氧化层；移除虚设接触结构以形成沟槽；在沟槽的多个侧壁上沉积牺牲层...

本公开提供了一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，形成半导体装置的例示性方法包括形成从基板的前侧延伸的鳍片结构，凹蚀鳍片结构的源极区以形成源极开口，在源极开口下方形成半导体插塞，平坦化基板以从基板的背侧露出半导体插塞，进行预非晶布植...

本公开涉及半导体器件制造方法。一种方法包括：执行原子层沉积(ALD)工艺以在晶圆上形成电介质层。所述ALD工艺包括ALD循环，所述ALD循环包括：以脉冲方式输送calypso((SiCl3)2CH2)；清扫所述calypso；以脉冲方式...

本申请涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调谐层，位于栅极电介质层上，第一功函数调谐层包含p型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调谐层上；第二功函数调谐层，位于...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：p型晶体管，该p型晶体管包括：第一沟道区域；第一栅极电介质层，其位于第一沟道区域上；含钨功函数调整层，其位于第一栅极电介质层上；以及第一填充层，其位于含钨功函数调整层上；以...

本申请涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构；包围第一纳米结构和第二纳米结构的栅极电介质，栅极电介质包含电介质材料；以及栅极电极，栅极电极包括：在栅极电介质上的功函数调谐层，功函数调谐层...

一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括：第一源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第二源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第一介电特征结构，设置在第一源极/漏极磊晶特征结构与第二源极/漏极磊晶特征结构之间；...

提供了具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供包括正面和背面的工件。该工件包括衬底、在衬底的第一部分之上的第一多个沟道构件、在衬底的第二部分之上的第二多个沟道构件、夹在衬底的第一部分和第二部分之间的隔离特征。该...

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。方法包括将电容器管芯接合至器件管芯。器件管芯包括：第一半导体衬底；有源器件，位于第一半导体衬底的表面处；多个低k介电层；第一介电层，位于多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与多个低k介电层中的顶...

本发明的实施例提供了一种集成电路，包括多个第一层深线和多个第一层浅线。该集成电路还包括多个第二层深线和多个第二层浅线。第一层深线和第一层浅线中的每个位于第一导电层中。第二层深线和第二层浅线中的每个位于第一导电层之上的第二导电层中。本发明...

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括将支撑衬底接合至晶圆的半导体衬底。接合层位于支撑衬底和半导体衬底之间，并且接合至支撑衬底和半导体衬底两者。执行第一蚀刻工艺以蚀刻支撑衬底且形成贯穿支撑衬底终且止于接合层的开口。开口具有基...

本文的实施例公开了互连结构的金属层的配置，该配置可以提高存储器性能(诸如静态随机存取存储器(SRAM)存储器性能)和/或逻辑性能。例如，本文的实施例将位线放置在金属一(M1)层中，M1层为存储器单元的互连结构的最下部金属化层级，以最小化...

本发明提供一种频率树的修正装置及其修正方法被提出。频率树的修正方法包括：依据时间限制信息针对电路的网络链接表执行频率信号路径追踪动作，以获得频率树电路结构；针对频率树电路结构的汇流状态进行识别以查找出至少一频率汇流点，并设定频率汇流点上...

本公开描述一种基于微调和冗余信息产生装置签名的装置、方法及系统，所述装置具有存储器和处理器。存储器配置成存储集成电路微调和冗余信息。处理器配置成从集成电路微调和冗余信息中提取位，对所提取的位执行散列函数以产生散列位，以及响应于散列位的统...

在本发明的一些方面，公开了加法器树电路。在一些方面，加法器树电路包括多个全加器(FA)，包括：第一FA子组，其中，第一全加器子组的每个FA包括第一数量的晶体管；以及第二FA子组，其中，第二全加器子组的每个FA包括第二数量的晶体管，第一数...

本公开涉及混合存储器器件及其形成方法。一种存储器阵列包括混合存储器单元，其中，每个混合存储器单元包括晶体管型存储器和电阻型存储器。该晶体管型存储器包括：存储器膜，在栅极电极上延伸；沟道层，在存储器膜上延伸；第一源极/漏极电极，在沟道层上...

本公开涉及存储器件及其制造方法。公开了一种存储器件。存储器件包括第一晶体管以及电耦合到第一晶体管的第一电容器，第一晶体管和第一电容器形成第一一次性可编程(OTP)存储单元。第一电容器具有第一底部金属端子、第一顶部金属端子、以及介于第一底...

本申请公开了封装结构中的电源

本公开涉及用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻。一种方法包括：将晶圆置于生产室中；提供加热源以加热晶圆；使用激光投影仪将激光束投射到晶圆上。该方法还包括：当晶圆被加热源和激光束两者加热时，执行从外延工艺中选择的工艺以在晶圆上生长半导体层...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：穿过半导体衬底的第一表面对区域进行掺杂；在半导体衬底内形成多个掺杂结构，其中，多个掺杂结构中的每一个都沿着垂直方向延伸并且与掺杂区域接触；在第一表面之上形成多个晶体管，其中，晶体管中的每一...