一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，一种方法包括形成相邻于基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的...

本发明提供一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区以及第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将...

一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的...

一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二...

本文揭示一种半导体结构，包括一基体总成及一半导体器件。该半导体器件是形成于该基体总成上，且包括一主体区、两个有源区及一对接主体。所述有源区设置于该主体区的两个相对侧，且两者皆具有一第一型传导性。该主体区及所述有源区共同占据该基体总成的一...

本公开涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。本文公开了用于增强多栅极器件(例如，鳍状场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET)的性能的外延源极/漏极结构，以及制造外延源极/漏极结构的方法。一种示例性器件包括电介质衬底...

本公开涉及制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法。方法包括：提供第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和第二鳍结构各自从衬底延伸。在所述第一鳍结构上形成第一栅极环绕式(GAA)晶体管，所述第一GAA晶体管具有第一多个纳米结构内的沟...

本公开涉及网络型薄膜膜及其形成方法。提供了一种用于保护光掩模免受污染物颗粒影响的薄膜。该薄膜包括含有至少一个多孔膜的薄膜膜。至少一个多孔膜包括多个纳米管的网络。多个纳米管中的至少一个纳米管包括核纳米管和围绕核纳米管的壳纳米管。核纳米管包...

本公开总体涉及内存计算。一种内存计算(CIM)器件具有存储阵列，该存储阵列具有按行和列布置的多个存储单元。多个存储单元包括在存储阵列的第一行和第一列中的第一存储单元、以及在存储阵列的第一行和第二列中的第二存储单元。第一存储单元和第二存储...

一种半导体结构，子像素包括至少一第二导电型铰接光二极管层、至少一浮动扩散区域及至少一转移栅极堆叠结构。至少一第二导电型铰接光二极管层与基板半导体层形成PN接面。至少一转移栅极堆叠结构可围绕第二导电型铰接光二极管层的几何中心而以介于240...

本揭露提供一种半导体配置及其形成方法。此半导体配置包含第一光电二极管，其中第一光电二极管是在基材中。此半导体配置包含透镜阵列，其中透镜阵列是在基材上。透镜阵列的第一群透镜是位于第一光电二极管上。入射至第一群透镜的辐射是由第一群透镜导向第...

本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种方法包括：在第一鳍和第二鳍上沉积栅极电介质层，第一鳍和第二鳍在第一方向上远离衬底延伸，第一鳍和第二鳍之间的距离沿着第一方向减小；通过将栅极电介质层暴露于自限制源前体和自反应源前体，来在栅极...

一种测试设备、其元件搬运装置及测试设备的测试方法，测试设备包含一测试载台与一元件搬运装置。元件搬运装置包括一取放手臂、一真空吸附单元、一工作底盖与一流体传输组。真空吸附单元连接取放手臂，用以可移除地吸附至一待测物上。工作底盖的一端连接取...

在本揭示文件的一些态样中，揭示一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法。在一些态样中，记忆体装置包含第一电压调节器，用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压；耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络，其中...

揭示一种半导体制造设备及制造半导体装置的方法。在一个态样中，设备包括：一支持器，支持器用以放置一基板；及一辐射源，辐射源用于提供辐射以将一图案转移至基板上。设备亦包括多个感测装置，感测装置用以在不存在基板时基于辐射的强度提供一参考信号。...

本公开提出一种半导体装置。用于形成本发明所述的低电阻铜内连线的低电阻铜内连线的实施方式和制造技术可实现低接触电阻和低片电阻，特别是通过降低氮化钽衬层/膜厚度(或排除使用氮化钽作为铜扩散阻挡)以及使用钌及/或氧化锌硅作为铜扩散阻挡。本发明...

一种测试记忆体的方法及内建自我测试电路，对一记忆体巨集执行一内建自我测试包括产生多个输入向量。在多个周期中的每一者中向该记忆体巨集传输一个输入向量。该些输入向量中的每一者与一位元宽度相关联。产生该输入向量包括产生该位元宽度一半的一部分输...

本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域，该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构，可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之...

提供一种半导体装置。选择性钌和选择性氧化钌可用于单镶嵌制程及/或双镶嵌制程，以形成电子装置的BEOL(back end of line)金属化层和导孔。可形成选择性钌衬层，以实现BEOL金属化层和导孔的低接触电阻和低片电阻，提升BEOL...

提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板。半导体装置结构包括第一纳米结构，位于基板上。半导体装置结构包括栅极堆叠，位于基板上且围绕第一纳米结构。半导体装置结构包括第一源极/漏极层，围绕第一纳米结构且邻近栅极堆叠。半导体装置...