多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法技术

本公开涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。本文公开了用于增强多栅极器件(例如，鳍状场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET)的性能的外延源极/漏极结构，以及制造外延源极/漏极结构的方法。一种示例性器件包括电介质衬底。该器件还包括沟道层、设置在沟道层之上的栅极、以及设置为与沟道层相邻的外延源极/漏极结构。沟道层、栅极和外延源极/漏极结构被设置在电介质衬底之上。外延源极/漏极结构包括具有第一掺杂剂浓度的内部部分和具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度的外部部分。内部部分与电介质衬底实体地接触，并且外部部分被设置在内部部分和沟道层之间。在一些实施例中，外部部分与电介质衬底实体地接触。体地接触。体地接触。

【技术实现步骤摘要】
多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法


[0001]本公开总体涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]最近，已经引入多栅极器件以改进栅极控制，多栅极器件具有部分或完全地围绕沟道延伸的栅极以在至少两侧上提供对沟道的通路。多栅极器件可以大幅按比例缩小IC技术，保持栅极控制并减轻短沟道效应(SCE)，同时与传统IC制造工艺无缝集成。然而，随着多栅极器件的不断扩展，需要先进的技术来优化多栅极器件的可靠性。因此，尽管现有的多栅极器件及其制造方法通常足以满足其预期目的，但是它们无法在所有方面都完全令人满意。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：电介质衬底；以及沟道层、设置在所述沟道层之上的栅极、以及设置为与所述沟道层相邻的外延源极/漏极结构，其中，所述沟道层、所述栅极和所述外延源极/漏极结构被设置在所述电介质衬底之上，并且其中进一步地，所述外延源极/漏极结构包括：具有第一掺杂剂浓度的内部部分，其中，所述内部部分与所述电介质衬底实体地接触，以及具有第二掺杂剂浓度的外部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：电介质衬底；以及沟道层、设置在所述沟道层之上的栅极、以及设置为与所述沟道层相邻的外延源极/漏极结构，其中，所述沟道层、所述栅极和所述外延源极/漏极结构被设置在所述电介质衬底之上，并且其中进一步地，所述外延源极/漏极结构包括：具有第一掺杂剂浓度的内部部分，其中，所述内部部分与所述电介质衬底实体地接触，以及具有第二掺杂剂浓度的外部部分，其中，所述第二掺杂剂浓度小于所述第一掺杂剂浓度，并且所述外部部分被设置在所述内部部分和所述沟道层之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极包裹所述沟道层并且所述沟道层与所述电介质衬底实体地接触。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极围绕所述沟道层并且所述栅极与所述电介质衬底实体地接触。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述外部部分与所述电介质衬底实体地接触。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述内部部分包括具有第一组成的下部部分和具有第二组成的上部部分，所述下部部分与所述电介质衬底实体地接触，所述上部部分设置在所述下部部分之上，其中，所述第二组成不同于所述第一组成。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一组成包括第一锗浓度，并且所述第二组成包括第二锗浓度，所述第二锗浓度大于所述第一锗浓度。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述外延源极/漏极结构还包括设置在所述内部部分和所述外...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振铭，吴以雯，黄柏瑜，杨复凯，王美匀，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：