集成半导体器件及其制造方法技术

一种集成半导体器件包含衬底、多个半导体电路层、绝缘材料以及互连层。这些半导体电路层配置在衬底上方。绝缘材料配置在半导体电路层上。互连层嵌入在绝缘材料中且电连接到半导体电路层中的一或多个。半导体电路层包含多个器件部分和一或多个隔离部分。隔离部分配置在器件部分之间，且隔离部分在相邻器件部分之间提供电隔离。互连层具有嵌入在器件部分上的绝缘材料中的多个电路。绝缘材料具有从器件部分上的电路的顶部表面升高的一或多个隔离结构。半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。

【技术实现步骤摘要】
集成半导体器件及其制造方法
本申请是2021年5月11日提交的题为“集成半导体器件及其制造方法”的中国专利申请202180004425.8的分案申请。


[0001]本公开大体上涉及一种半导体器件。更具体来说，本公开涉及一种在电路之间形成隔离结构的集成半导体器件。

技术介绍

[0002]近年来，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)的氮化物半导体器件在例如高功率开关和高频率应用的半导体技术和器件的发展中已经非常普遍。这些器件利用具有不同能带隙的两种材料之间的异质结界面，且电子累积在界面处而形成二维电子气体(2DEG)区，这满足高功率/频率装置的需求。除HEMT以外，具有异质结构的器件的实例还包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。
[0003]由于氮化物半导体器件的大小和集成已经取得巨大进展，因此器件上的电连接的密度也随之增加，且电连接之间的间隙减小。目前，需要改进氮化物器件的连接的良率，由此使其适合于大批量生产。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成半导体器件，其特征在于，其包括：衬底；多个半导体电路层，其配置在所述衬底上方；绝缘材料，其配置在所述半导体电路层上；以及互连层，其嵌入在所述绝缘材料中且电连接到所述半导体电路层中的一或多个，其中所述半导体电路层包含多个器件部分和一或多个隔离部分，且所述隔离部分配置在所述器件部分之间，且所述隔离部分在相邻器件部分之间提供电隔离，且所述互连层具有嵌入在所述器件部分上的所述绝缘材料中的多个电路，且所述绝缘材料具有从所述器件部分上的所述电路的顶部表面升高的一或多个隔离结构，且所述半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。2.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中第一绝缘层和第二绝缘层形成所述绝缘材料，且所述第一绝缘层配置在所述半导体电路层上，且所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层上。3.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构是升高平台。4.根据权利要求2所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离部分上的所述绝缘层的厚度大于所述器件部分上的所述绝缘层的厚度。5.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述器件部分上的所述绝缘材料的顶部表面低于所述隔离部分上的所述绝缘材料的顶部表面。6.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述器件部分上的所述绝缘材料的顶部表面与所述隔离部分上的所述绝缘材料的顶部表面共面，且所述电路的顶部表面低于所述器件部分上的所述绝缘材料的所述顶部表面。7.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离部分上的所述绝缘材料的顶部表面为平坦平面。8.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构形成齿形轮廓。9.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构具有圆形顶部表面。10.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构的横截面具有大致梯形形状。11.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中多个沟槽形成在每一隔离部分上的所述隔离结构之间。12.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构具有阶梯形轮廓。13.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离结构的厚度朝向所述隔离部分的中心增加。14.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述半导体电路层的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹凯，张建平，张雷，姚卫刚，周春华，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：