【技术实现步骤摘要】
用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法
[0001]本申请涉及ESD器件制造
，具体涉及一种用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]为克服深亚微米工艺带来的热载流子带来的可靠性问题，发展出LDD制程与结构。目前的用于静电放电保护的GGNMOS器件中，GGNMOS器件的触发电压主要由N+/PW的击穿电压决定，而此击穿电压较高，存在被保护器件被ESD损伤未触发的情况。在强电场下，漏端(Drain)的NLDD(N型轻掺杂漏区)存在尖端放电现象，会提前损坏，降低了GGNMOS器件的鲁棒性。
[0003]目前，一般为了降低触发电压、提高鲁棒性，在形成源端、漏端之后，会增加一道ESD Implant的工序以在漏端底部形成ESD离子注入区，但是增加一道ESD Implant工序就需要增加一块对应的掩模版(光罩)，这不但增加了ESD GGNMOS器件的制造成本，还增加了GGNMOS器件的制造工序。
技术实现思路
[0004]本申请提供了一种用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法，可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述MOS器件包括：高压器件区和低压器件区，所述用于静电放电保护的MOS器件的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有多个间隔设置的浅沟槽隔离结构，所述低压器件区和所述高压器件区经所述浅沟槽隔离结构隔离开来，所述低压器件区的衬底中形成有第一阱区，所述高压器件区的衬底中形成有第二阱区；在所述低压器件区的第一阱区表面以及所述高压器件的第二阱区表面均形成两个间隔设置的栅极；利用第一光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述低压器件区的栅极两侧的第一阱区中形成第一轻掺杂漏区，其中，所述低压器件区的相邻的两个栅极之间的所述第一轻掺杂漏区之间形成第一窗口；利用第二光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述高压器件区的栅极两侧的第二阱区中、所述低压器件区的第一窗口位置的第一阱区中形成第二轻掺杂漏区；对所述衬底进行离子注入工艺以在所述低压器件区的第一阱区中形成第一源端、第一漏端以及在所述高压器件区的第二阱区中形成第一重掺杂区，其中，所述第一漏端覆盖掉两个栅极之间的部分所述第一轻掺杂漏区和部分所述第二轻掺杂漏区；以及，对所述衬底进行离子注入工艺以在所述低压器件区的第一阱区中形成第二重掺杂区以及在所述高压器件区的第二轻掺杂漏区中形成第二源端、第二漏端。2.根据权利要求1所述的用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，在利用第一光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述低压器件区的栅极两侧的第一阱区中形成第一轻掺杂漏区，其中，所述低压器件区的相邻的两个栅极之间的所述第一轻掺杂漏区之间形成第一窗口的过程中，所述用于静电放电保护的MOS器件的制备方法还包括：利用所述第一光罩对所述高压器件区的衬底进行离子注入工艺，以在所述高压器件区的相邻的两个栅极之间的第二阱区中形成第一轻掺杂漏区，其中，所述栅极和所述第一轻掺杂漏区之间形成第二窗口。3.根据权利要求2所述的用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，在利用第二光罩对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述高压器件区的栅极两侧的第二阱区中、所述低压器件区的第一窗口位置的第一阱区中形成第二轻掺杂漏区的过程中，所述用于静电放电保护的MOS器件的制备方法还包括：利用所述第二光罩对所述高压器件区的衬底进行离子注入工艺，以在所述高压器件区的栅极两侧的第二窗口位置和第二阱区中形成第二轻掺杂漏区。4.根据权利要求3所述的用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，在对所述衬底进行离子注入工艺以在所述低压器件区的第一阱区中形成第二重掺杂区以及在所述高压器件区的第二轻掺杂漏区中形成第二源端、第二漏端的过程中，在所述高压器件区中，所述第二漏端覆盖掉两个栅极之间的部分所述第一轻掺杂漏区和部分所述第二轻掺杂漏区。5.根据权利要求1所述的用于静电放电保护的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述第二轻掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：范炜盛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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