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本发明提供一种用于静电放电保护的MOS器件及其制备方法，其中方法包括：利用第一光罩在所述低压器件区中形成第一轻掺杂漏区，其中，在所述第一轻掺杂漏区之间形成第一窗口；利用第二光罩在所述高压器件区中、所述低压器件区中形成第二轻掺杂漏区。本申请利...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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