集成电路、系统及其形成方法技术方案

本发明专利技术的实施例提供了一种集成电路及其制造方法。一种集成电路包括第一电源轨、第一信号线、第一晶体管和第二晶体管。第一电源轨位于衬底的背侧上，并且被配置为提供第一电源电压。第一信号线位于衬底的背侧上，并且与第一电源轨分离。第一晶体管在衬底的前侧中具有第一有源区域。第一有源区域与第一电源轨重叠，并且电耦合到第一电源轨。第二晶体管在衬底的前侧中具有第二有源区域。第二有源区域与第一有源区域分离，与第一信号线重叠，并且被配置为通过第一晶体管的第一有源区域接收第一电源轨的第一电源电压。一电源轨的第一电源电压。一电源轨的第一电源电压。

【技术实现步骤摘要】
集成电路、系统及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路、系 统及其形成方法。

技术介绍

[0002]使集成电路(IC)小型化的最近趋势已经产生了更小的器件，该更小 的器件消耗更少的功率，还在更高的速度下提供更多功能。微型化工艺也 已导致更严格的设计和制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化 (EDA)工具生成、优化和验证用于集成电路的标准单元布局设计，同时 确保满足标准单元布局设计和制造规范。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一电源轨， 沿第一方向延伸，被配置为提供第一电源电压，并且位于衬底的背侧上； 第一信号线，沿所述第一方向延伸且沿不同于所述第一方向的第二方向与 所述第一电源轨分离，并且位于所述衬底的背侧上；第一晶体管，具有沿 所述第一方向延伸且位于所述衬底的与所述背侧相反的前侧中的第一有源 区域，所述第一有源区域与所述第一电源轨重叠，并且电耦合到所述第一 电源轨；以及第二晶体管，具有沿所述第一方向延伸且位于所述衬底的前 侧中的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：第一电源轨，沿第一方向延伸，被配置为提供第一电源电压，并且位于衬底的背侧上；第一信号线，沿所述第一方向延伸且沿不同于所述第一方向的第二方向与所述第一电源轨分离，并且位于所述衬底的背侧上；第一晶体管，具有沿所述第一方向延伸且位于所述衬底的与所述背侧相反的前侧中的第一有源区域，所述第一有源区域与所述第一电源轨重叠，并且电耦合到所述第一电源轨；以及第二晶体管，具有沿所述第一方向延伸且位于所述衬底的前侧中的第二有源区域，所述第二有源区域至少沿所述第二方向与所述第一有源区域分离，与所述第一信号线重叠，并且被配置为通过所述第一晶体管的第一有源区域接收所述第一电源轨的第一电源电压。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二晶体管与所述第一电源轨不重叠。3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：第一接触件，沿所述第二方向延伸，位于所述衬底的前侧下方的第一层级上，所述第一接触件耦合到所述第一有源区域的第一侧；以及第一通孔，将所述第一有源区域和所述第一电源轨电耦合在一起，所述第一通孔位于所述第一电源轨和所述第一有源区域的与所述第一有源区域的第一侧相反的第二侧之间。4.根据权利要求3所述的集成电路，还包括：第一导体，沿所述第一方向延伸，与所述第一电源轨和所述第一接触件重叠，并且位于与所述第一层级不同的第二层级上；以及第二通孔，位于所述第一导体和所述第一接触件之间，所述第二通孔将所述第一导体和所述第一接触件电耦合在一起。5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：第二导体，沿所述第二方向延伸，至少与所述第一导体重叠，并且位于与所述第一层级和所述第二层级不同的第三层级上；以及第三通孔，位于所述第二导体和所述第一导体之间，所述第三通孔将所述第二导体和所述第一导体电耦合在一起。6.一种集成电路，包括：第一电源轨，沿第一方向延伸，被配置为提供第一电源电压，并且位于衬底的背侧上；第一有源区域，沿所述第一方向延伸，并且位于所述衬底的与所述背侧相反的前侧中，所述第一有源区域与所述第一电源轨重叠，并且电耦合到所述第一电源轨；第一信号线，沿所述第一方向延伸且沿不同于所述第一方向的第二方向与所述第一电源轨分离，并且位于所述衬底的背侧上；第二有源区域，沿所述第一方向延伸，并且位于所述衬底的前侧中，所述第二有源区域沿所述第二方...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，邱德馨，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：