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一种集成半导体器件包含衬底、多个半导体电路层、绝缘材料以及互连层。这些半导体电路层配置在衬底上方。绝缘材料配置在半导体电路层上。互连层嵌入在绝缘材料中且电连接到半导体电路层中的一或多个。半导体电路层包含多个器件部分和一或多个隔离部分。隔离部...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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