公开了一种半导体器件及该器件的制造方法。在一个方面，该半导体器件包括第一有源区域，该第一有源区域沿第一横向方向延伸并包括多个第一外延结构。半导体器件包括互连结构，该互连结构沿第一横向方向延伸并设置在第一有源区域下方，其中多个第一外延结构...

本申请涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括在衬底的有源区域之上的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极电介质层和在栅极电介质层之上的第一功函数层。第一功函数层包括以交替方式布置在栅极电介质层之上的多个第...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属，所述第一p型功...

本揭露提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其中静电式晶圆吸附座包含具有第一表面的承载座以及多个突起结构。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是...

本公开涉及一种铁电场效应晶体管(FeFET)器件。在一些实施例中，FeFET器件包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的铁电层以及沿铁电层的第一侧设置的栅电极。FeFET器件还包括沿铁电层的与第一侧相反的第二侧设置的OS沟道层和设置在OS...

一种化学机械抛光装置及其制造及操作方法，化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)装置包含抛光垫位于滚筒的顶部表面上，滚筒配置以绕着穿过滚筒的垂直轴进行旋转、晶圆载具配置以固持基材于晶圆载具的底部...

提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管...

提供了半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体结构包括：有源区，位于衬底上方；栅极结构，设置在有源区上方；以及栅极触点，包括：下部，设置在栅极结构上方，和上部，设置在下部上方。置在下部上方。置在下部上方。

一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正...

本发明的实施例提供了一种集成电路及其制造方法。一种集成电路包括第一电源轨、第一信号线、第一晶体管和第二晶体管。第一电源轨位于衬底的背侧上，并且被配置为提供第一电源电压。第一信号线位于衬底的背侧上，并且与第一电源轨分离。第一晶体管在衬底的...

公开了一种半导体结构、半导体器件及其制造方法。一种示例性制造方法包括：在半导体衬底的正面形成第一类型外延层与第二类型外延层的堆叠件；对堆叠进行图案化以形成鳍状结构；在鳍状结构的侧壁上沉积介电层；以及使介电层凹陷以暴露鳍状结构的顶部部分。...

一种集成电路包括位于衬底上的第一类型有源区域结构、第二类型有源区域结构以及多个栅极导体。该集成电路还包括位于衬底下方的背侧第一导电层中的背侧水平导线、位于背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中的背侧垂直导线以及用于电路单元的引脚连接件。引...

方法包括：通过真空抽吸将管芯附接至热压接合(TCB)头，其中，管芯包括多个导电柱；通过真空抽吸将第一衬底附接至卡盘，其中，第一衬底包括多个焊料凸块；使多个导电柱中的第一导电柱与多个焊料凸块中的第一焊料凸块接触，其中，使第一导电柱与第一焊...

本公开涉及使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法。电阻存储单元包括下部电极、电阻过渡金属氧化物层和上部电极。下部电极包括至少一个下部金属阻挡层、下部金属层以及过渡金属化合物层，其中下部金属层包括具有高于2000摄氏度的熔点的...

本发明实施例涉及控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器。本发明各种实施例提供用于配置相变随机存取存储器PCRAM结构、例如在单级单元SLC模式或多级单元MLC模式中操作的PCRAM的方法。本发明各种实施例可支持PCRAM结构在SL...

本公开总体涉及钴表面上的钨沉积。在一些实施方式中，一个或多个半导体处理工具可以将钴材料沉积在半导体器件的腔内。一个或多个半导体处理工具可以抛光钴材料的上表面。一个或多个半导体处理工具可以对半导体器件执行氢浸泡。一个或多个半导体处理工具可...

本公开涉及半导体器件和方法。公开了一种形成具有改进的功函数层的半导体器件的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上的沟道区域上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积第一p型功函数金属；对第一p型...

一种半导体器件，包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜...

本公开总体涉及FinFET器件及方法。一种器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠，在鳍之上；间隔件，在栅极堆叠的侧壁上；源极/漏极区域，在鳍中与间隔件相邻；层间电介质层(ILD)，在栅极堆叠、间隔件和源极/漏极区域之上延伸；接触插塞，...

一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，第一磊晶源极/漏极区...