集成电路及其形成方法技术

一种集成电路包括位于衬底上的第一类型有源区域结构、第二类型有源区域结构以及多个栅极导体。该集成电路还包括位于衬底下方的背侧第一导电层中的背侧水平导线、位于背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中的背侧垂直导线以及用于电路单元的引脚连接件。引脚连接件直接连接在背侧水平导线和背侧垂直导线之间。背侧水平导线跨越电路单元的垂直边界延伸。本发明专利技术的实施例还涉及集成电路的形成方法。发明专利技术的实施例还涉及集成电路的形成方法。发明专利技术的实施例还涉及集成电路的形成方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及集成电路及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)小型化的最近趋势导致器件更小，这消耗更少的功率，但能以更高的速度提供更多功能。小型化工艺也导致了更严格的设计和制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具生成、优化和验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计和制造规范。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种集成电路，包括：第一类型有源区域结构与第二类型有源区域结构，位于衬底上并且在第一方向上延伸；前侧第一层导线，位于所述衬底之上的第一连接层中；多个栅极导体，位于所述第一连接层下方并且在第二方向上延伸，并且其中，两个相邻的栅极导体分隔开间距距离，所述间距距离等于接触多晶间距(“CPP”)；电路单元，具有在垂直于所述第一方向的所述第二方向上延伸的第一垂直边界和第二垂直边界，其中，所述第一垂直边界和所述第二垂直边界中的每个跨越至少一个边界隔离区域，并且其中，沿着所述第一方向的所述第一垂直边界和所述第二垂直边界之间的距离小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：第一类型有源区域结构与第二类型有源区域结构，位于衬底上并且在第一方向上延伸；前侧第一层导线，位于所述衬底之上的第一连接层中；多个栅极导体，位于所述第一连接层下方并且在第二方向上延伸，并且其中，两个相邻的栅极导体分隔开间距距离，所述间距距离等于接触多晶间距(CPP)；电路单元，具有在垂直于所述第一方向的所述第二方向上延伸的第一垂直边界和第二垂直边界，其中，所述第一垂直边界和所述第二垂直边界中的每个跨越至少一个边界隔离区域，并且其中，沿着所述第一方向的所述第一垂直边界和所述第二垂直边界之间的距离小于或等于三个所述接触多晶间距；背侧水平导线，位于所述衬底下方的背侧第一导电层中并且在所述第一方向上延伸，其中，所述背侧水平导线跨越所述电路单元的所述第一垂直边界延伸；背侧垂直导线，位于所述背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中并且在所述第二方向上延伸，其中，所述背侧垂直导线与所述第一垂直边界对准；以及引脚连接件，用于所述电路单元，直接连接在所述背侧水平导线和所述背侧垂直导线之间。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述背侧水平导线跨越所述电路单元的所述第一垂直边界延伸的距离小于一个所述接触多晶间距但大于所述接触多晶间距的八分之一。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述背侧水平导线跨越所述电路单元的所述第一垂直边界延伸的距离小于一个所述接触多晶间距但大于所述接触多晶间距的四分之一。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述背侧水平导线跨越所述电路单元的所述第一垂直边界延伸的距离小于一个所述接触多晶间距但大于所述接触多晶间距的一半。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述背侧垂直导线的沿着所述第一方向的宽度大于所述接触多晶间距的四分之三。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述背侧垂直导线的沿着所述第一方向的宽度大于所述接触多晶间距的一半。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，沿着所述第一方向的所述第一垂直边界与所述第二垂直边界之间的距离小于或等于两个所述接触多晶间距。8.一种集成电路，包括：第一类型有源区域结构与第二类型有源区域结构，位于衬底上并且在第一方向上延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖韦安，彭士玮，邱德馨，曾健庭，王中兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：