形成集成电路结构的方法包括形成晶体管的源极/漏极区，在源极/漏极区上方形成第一层间电介质，以及在源极/漏极区上方形成下部源极/漏极接触插塞，并且下部源极/漏极接触插塞电耦合至源极/漏极区。下部源极/漏极接触插塞延伸至第一层间电介质中。方...

本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，...

本发明实施例涉及测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法。本揭露提供一种半导体结构测试方法，其包含步骤：形成测试结构；将静电力形成于所述测试结构的多晶硅结构；以及测量所述多晶硅结构的电容值。在形成所述测试结构时，其包含步骤...

根据本发明的方面，在制造半导体器件的方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在第一覆盖层上方形成第二覆盖层。形成源极/漏极外延层。在形成源极/漏极外延层之...

本发明的各种实施例针对包括高脚焊盘结构的集成电路(IC)芯片。导线在半导体衬底的正面上位于半导体衬底的下方。另外，沟槽隔离结构延伸至半导体衬底的正面中。高脚焊盘结构嵌入至半导体衬底的与正面相对的背面中。高脚焊盘结构包括焊盘主体和焊盘凸起...

图像传感器包括像素和隔离结构。像素包括光敏区域和紧邻光敏区域的电路区域。隔离结构位于像素上方，其中，隔离结构包括导电栅格和覆盖导电栅格的侧壁的介电结构，并且隔离结构包括与光敏区域重叠的开口或凹槽。隔离结构围绕光敏区域的外围区域。本申请的...

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。该方法包括沉积栅极介电层；在栅极介电层上方沉积功函(WF)金属层；以及穿过蚀刻掩模蚀刻WF金属层，从而去除WF金属层的第一部分，同时保留WF金属层的第二部分，其中WF金属层的第二部分的侧壁暴露。...

本申请的实施例涉及一种集成电路及其制造方法。该集成电路包括：第一电路，具有m个并联耦合的第一单元，任一第一单元包括一个或多个串联耦合的第一晶体管；以及第二电路，具有n个并联耦合的第二单元，任一第二单元包括一个或多个串联耦合的第二晶体管。...

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底上的钝化层；在钝化层上并沿钝化层延伸的第一再分布线；在钝化层上并沿钝化层延伸的第二再分布线；第一介电层位于第一再分布线、第二再分布线以及钝化层上；...

一种半导体封装件，包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、和多个凸块。第一半导体管芯具有彼此相对的正面和背面。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的背面，并且电连接至第一半导体管芯。多个凸块设置在第一半导体管芯的正面，并且物理接触第一半导体管...

半导体封装件包括第一管芯、第二管芯、密封材料和再分布结构。第二管芯设置在第一管芯上方并且包括接合至第一管芯的多个接合焊盘、延伸穿过第二管芯的衬底的多个贯通孔以及多个对准标记，其中多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于多个贯通孔...

公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属(UBM)结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方...

公开了一种具有有源器件单元阵列和伪器件单元阵列的集成电路(IC)及其制造方法。IC包括衬底、有源器件单元和伪器件单元。有源器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极(S/D)区域的阵列和设置在衬底上的具有第一栅极填充材料...

提供一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括衬底、多层堆叠、多个存储单元以及多个导电接触窗。衬底包括阵列区与阶梯区。多层堆叠配置在阵列区中的衬底上，其中多层堆叠的端部在阶梯区上延伸以成形为阶梯结构。多个存储单元分别设置在阵列区中的多层...

公开了一种半导体器件包括衬底；位于衬底上方的互连结构；位于互连结构上方的第一钝化层；设置在第一钝化层上方并且电耦合至互连结构的导电部件的第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线；位于第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线的上表面和侧壁上方，并且沿着第...

本申请的实施例提供了一种半导体结构，包括：n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)，位于衬底上方，其中，NEPI的顶面低于PEPI的顶面。该半导体结构还包括：金属化合物部件，设置在NEPI的顶面和PEPI的...

公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形...

本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的多个第一源极/漏极接触件。多个栅极结构设置在多个第一源极/漏极接触件之间的衬底上方。多个栅极结构以多个闭合环路包裹多个第一源极/漏极接触件。第二源极/漏极接触件设置在多个栅极结构...

一种半导体装置与其制造方法，半导体装置可包括一源极，此源极位于一栅极的一第一侧上。半导体装置可包括一漏极，此漏极位于栅极的一第二侧上，其中栅极的第二侧相对于栅极的第一侧。半导体装置可包括位于源极上方的一第一触点。半导体装置可包括位于漏极...

薄膜沉积系统在半导体晶圆上沉积薄膜。薄膜沉积系统包括基于机器学习的分析模型。该分析模型通过接收静态工艺条件和目标薄膜数据来动态选择下一个沉积工艺的工艺条件。该分析模型可识别动态工艺条件数据，该数据与静态工艺条件数据一起可生成与目标薄膜数...