一种半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法，半导体影像感测器包括像素。像素包括第一基板；以及在第一基板中的光电二极管。半导体影像感测器还包括电性连接到像素的互连件结构。半导体影像感测器还包括在介于互连件和光电二极管之间的反射结构，...

一种像素阵列、具有像素阵列的影像感测器及其制造方法，像素阵列可包括金属屏蔽结构，此金属屏蔽结构在像素阵列中的像素感测器之间的栅格结构上。金属屏蔽结构横向地自栅格结构向外延伸以反射入射光的光子，否则此些光子可能会在栅格结构与像素阵列中的像...

一种半导体元件及其制造方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理机台可形成三层堆叠多晶硅结构于半导体元件的基材上。此一或多个半导体处理机台可形成一或多个多晶硅基元件于半导体元件的基材上，其中三层堆叠多晶硅结构具有第一高度，第一高度大于一...

一种半导体装置及形成半导体装置的方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理工具可沉积第一介电层于半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积浮动栅极于第一介电层上。一或多个半导体处理工具可沉积第二介电层于浮动栅极上与半导体装置的基板...

一种时脉分配系统、集成电路装置与时脉分配方法。时脉分配系统包括了时脉网格结构，此时脉网格结构包括了沿着第一轴延伸的多个第一金属图案、沿着第二轴延伸的多个第二金属图案、以及沿着第三轴延伸的多个第三金属图案。这些第一金属图案、第二金属图案及...

一边缘曝光工具及使用边缘曝光工具的方法，边缘曝光工具可包括透镜调整装置，透镜调整装置能够自动化地调整边缘曝光透镜的多个参数以解决边缘曝光工具的操作参数的变化。在一些实施方式中，边缘曝光工具亦可包括控制器，控制器使用技术例如大数据探勘、机...

提供了封装结构，包括器件管芯、绝缘密封剂和第一再分布电路。器件管芯包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。第一半导体管芯堆叠在第二半导体管芯上方并电连接至第二半导体管芯。绝缘密封剂横向密封器件管芯。绝缘密封剂包括第一密封部分和连接至第一密封...

半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金...

提供了封装件及其制造方法。封装件包括：第一管芯，其中，第一管芯包括从第一管芯的第一表面朝向第一管芯的第二表面的多个通孔；第二管芯，设置在第一管芯下方，其中，第一管芯的第二表面接合至第二管芯；隔离层，设置在第一管芯中，其中，多个通孔延伸穿...

本揭露描述一种半导体装置及其形成方法。形成具有受控掺杂的栅极介电层的半导体装置的方法包括形成栅极介电层于鳍状结构上、形成扩散阻障层于栅极介电层上，以及形成掺质来源层于扩散阻障层上。栅极介电层包括在鳍状结构上的界面层及在界面层上的高k值介...

一种集成电路装置与方法，集成电路(Integrated Circuit；IC)装置，其包含基材和基材上方的电路区域。电路区域包含沿着第一方向延伸的至少一个主动区域，跨过至少一个主动区域且沿着与第一方向横向的第二方向延伸的至少一个栅极区域...

一种预测难以修复的设计规则检查违规的方法与系统，预测难以修复的设计规则检查违规的方法包括：通过多个电子电路置放布局训练一机器学习模型；由该机器学习模型预测一新电子电路置放布局的设计规则检查(DRC)违规的修复率；基于该新电子电路置放布局...

本发明提供一种测试设备，包括基座以及设置于基座上的预热单元。预热单元包括气体产生器、阻挡机构以及加热装置。气体产生器用于朝基座方向排放空气以形成空气墙。阻挡机构位于空气墙的上方且与空气墙构成保温空间。加热装置设置于保温空间内。置设置于保...

本发明提供一种检测装置，包括载板、多个伸缩探针、锁固组件以及导电结构。载板具有贯孔与对应贯孔的接地垫。载板具有第一表面与相对于第一表面的第二表面，贯孔由第一表面贯穿至第二表面，接地垫设置于第二表面。多个伸缩探针平行地设置于载板的第一表面...

一种静电放电(ESD)保护器件和其制造方法。在一些实施例中，ESD保护器件包括：内部电路，在器件晶片中图案化且电耦合于第一节点与第二节点之间；静电放电(ESD)电路阵列，在载体晶片中图案化，其中ESD电路电耦合于第一节点与第二节点之间且...

本发明的各个实施例针对集成芯片。集成芯片包括：半导体衬底，具有位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在器件衬底和处理衬底之间的绝缘层。栅电极位于漏极区域和源极区域之间的器件衬底上面。导电通孔延伸穿过器件衬底和绝缘层以接触处理衬底。第一隔离结...

一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；温度传感器，被配置为检测存储器单元阵列的温度；写入电路，被配置为将数据写入到多个存储器单元中；控制器，耦合到温度传感器和写入电路，其中，控制器被配置为基于检测到的存储器器件的温度...

存储器器件包括存储器阵列、参考电压发生器和驱动电路。存储器阵列包括用于存储操作的存储器单元。将参考电压发生器配置为基于存储器阵列的温度或存储器单元的选择晶体管的阈值电压的至少一个来生成参考电压。将驱动电路耦合至参考电压发生器，并且将参考...

形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间...

本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第...