本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之...

一种形成半导体器件的方法，包括：在第一电介质层中形成第一导电特征，第一电介质层设置在衬底之上；在第一电介质层之上形成第二电介质层；使用经图案化的掩模层来蚀刻第二电介质层，以在第二电介质层中形成开口，其中，该开口使第一导电特征暴露；在蚀刻...

提供一种对半导体工件进行处理的半导体设备及方法。用于对半导体工件进行预润的半导体设备包括：工艺腔室、设置在工艺腔室内以固持半导体工件的工件固持器、设置在工艺腔室外且容纳预润流体的预润流体槽、以及耦接到预润流体槽且延伸到工艺腔室中的导管。...

一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括...

一种电感器包括芯体及缠绕在芯体周围的导电螺旋。芯体包括依序堆叠的缓冲层、刻蚀停止层及芯体材料层。芯体材料层包含铁磁材料。芯体材料层的垂直投影的总面积小于由刻蚀停止层占据的面积。芯体材料层的垂直投影完全落在刻蚀停止层上。刻蚀停止层相对于芯...

一种用于极紫外线微影装置的腔室中处理晶圆的方法。极紫外线(EUV)微影装置包括晶圆台，及用于清洁用于极紫外线微影装置的晶圆的颗粒移除组件。晶圆台包括量测侧及曝光侧。颗粒移除组件包括颗粒移除电极、排气元件及涡轮分子泵。颗粒移除电极用以通过...

公开一种用于处置错误命令的数据保护系统及数据保护方法。数据保护系统包括主器件以及从器件。主器件被配置成发送命令。从器件耦合到主器件。从器件被配置成从主器件接收命令。主器件包括主接口。从器件包括从接口。主接口与从接口通过一个或多个结合件和...

本发明提供一种具有接口的半导体器件及半导体器件的接口管理方法，所述具有接口的半导体器件包括主器件以及多个从器件。主器件包括主接口。从器件一个接一个地在主器件上堆叠成三维堆叠。从器件中的每一者包括从接口及管理电路，主接口及从接口形成用于在...

本发明提供一种用于三维半导体器件的在主器件与从器件之间进行接口的接口器件及接口方法。主器件产生命令且从器件根据命令产生数据。接口器件包括主接口以及从接口。主接口耦合到主器件且被配置成将命令发送到从器件和/或从从器件接收数据。从接口耦合到...

本发明提供一种半导体器件的接口及用于排列结合半导体器件的接口方法。半导体器件的接口包括主器件及多个从器件。所述接口包括主接口及从接口。主接口实施在主器件中且包括由被排列成第一阵列的主结合件形成的主结合件图案。从接口实施在每一个从器件中且...

一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台...

本公开实施例提供一种半导体装置。一种半导体装置包括多个第一通道构件，在一背侧介电层上方；多个第二通道构件，在该背侧介电层上方；一第一栅极结构，在每个第一通道构件上方且包绕每个第一通道构件；一第二栅极结构，在每个第二通道构件上方且包绕每个...

本发明公开了半导体结构。示例性的半导体结构的制造方法包括接收集成电路布局，集成电路布局具有多个金属部件在金属层中。上述制造方法也包括基于尺寸准则，将金属部件分类为第一类型金属部件和第二类型金属部件，第一类型金属部件的尺寸大于第二类型金属...

本公开实施例提供半导体元件及其形成方法。本公开实施例的一种半导体元件包括在基底上的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件、延伸于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的多个通道构件(member)、包绕每个通道构件的栅极结构、以及至...

本发明涉及集成芯片。集成芯片包括布置在基底衬底的上表面上的多晶硅层。介电层布置在多晶硅层上方，并且有源半导体层布置在介电层上方。半导体材料垂直地布置在基底衬底的上表面上并且横向地位于有源半导体层旁边。本发明的实施例还涉及集成芯片的形成方...

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括一源极特征，设置于一背侧源极接触件之上；一漏极特征，设置于一背侧介电层之上；多个通道构件，其中每个通道构件延伸于源极特征及漏极特征之间；以及一栅极结构，包绕每个通道构件，栅极结构设置于背侧介...

一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结...

本文中提供的半导体封装包括布线衬底、半导体组件、导体端子、底部加强件以及顶部加强件。布线衬底具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。半导体组件设置在布线衬底的第一表面上。导体端子设置在布线衬底的第二表面上且通过布线衬底电连接到半导体组件...

本发明实施例的一种半导体封装包括重布线结构、第一管芯、第二管芯以及缓冲层。第二管芯设置在第一管芯与重布线结构之间，并且第二管芯电连接到第一管芯且接合到重布线结构。缓冲层设置在第二管芯的第一侧壁上，其中缓冲层的第二侧壁与第一管芯的第三侧壁...

本发明实施例阐述一种包括字线、源极线、位线、存储层、沟道材料层的存储器件。字线在第一方向上延伸，且衬层设置在字线的侧壁上。存储层在衬层之间设置在字线的侧壁上且在第一方向上沿着衬层的侧壁延伸。衬层通过存储层间隔开且衬层夹置在存储层与字线之...