本公开涉及一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供...

一种读出放大器，包括具有偏移补偿的电压比较器、第一钳位器件和第二钳位器件。该电压比较器分别耦合到位线和参考位线，并被配置为比较第一输入电压和第二输入电压以输出读出信号。第一钳位电路和第二钳位电路分别微调对应于位线的电压和对应于参考位线的...

本文描述一种存储器件，包括命令解码器，配置为接收复制命令以将存储在第一存储位置中的数据直接复制到第二存储位置，而无需将数据传输至外部控制器；存储器阵列，电连接至命令解码器并且包括多个存储位置，多个存储位置包括第一存储位置和第二存储位置；...

提供一种深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法。所述方法包括在衬底中形成深沟槽，并且在深沟槽中以及在深沟槽之上形成层堆叠，所述层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板。在层堆叠之上形成接触级介电材料层，且形成穿过接触级介电材...

本发明的实施例公开了用于光学感测的器件及其制造方法。在一个实施例中，用于光学感测的器件包括衬底、光电探测器和反射器。光电探测器设置在衬底中。反射器设置在衬底中并且与光电探测器间隔开，其中，反射器具有相对于光电探测器倾斜的反射表面，该反射...

一种镀覆装置包括工件固持器、镀覆槽及夹持环。镀覆槽位于工件固持器下。夹持环与工件固持器连接。夹持环包括将夹持环的内表面与夹持环的外表面连通的沟道。持环的外表面连通的沟道。持环的外表面连通的沟道。

一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个...

公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬底上的介电层、...

一种半导体结构以及静电放电保护电路，半导体结构至少对应串联耦接的一第一二极管以及一第二二极管。第一深井区位于基板之上。第一井区位于第一深井区之上。两第二井区位于第一井区的两侧。第一掺杂区以及第二掺杂区位于第一井区之上。第一掺杂区与第二掺...

本公开涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、在衬底上的反射多层堆叠、和在反射多层堆叠上的经图案化的吸收体层。经图案化的吸收体层包括合金，该合金包括钽和至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括至少一种过渡金属...

本申请公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括从衬底延伸的第一鳍。该器件还包括位于第一鳍的侧壁之上并沿着第一鳍的侧壁的第一栅极堆叠。该器件还包括沿着第一栅极堆叠的侧壁设置的第一栅极间隔件。该器件还包括位于第一鳍中并与第...

本发明的实施例提供了用于控制存储器电路的唤醒操作的系统和方法。存储器电路被配置为在唤醒期间顺序地对存储器阵列的位线进行预充电。存储器单元的第一位线接收睡眠信号，然后在第二互补位线预充电之前发生设计延迟。然后睡眠信号可以在每条位线的预充电...

公开了半导体结构及其制造方法。示例性制造方法包括：提供工件，该工件包括衬底、衬底上方的隔离部件、穿过隔离部件突出的第一鳍形结构以及穿过隔离部件突出的第二鳍形结构；在第一鳍形结构和第二鳍形结构之间形成介电鳍；以及分别在第一鳍形结构和第二鳍...

一种半导体装置的制造方法，包括形成一栅极沟槽于一半导体鳍部上，栅极沟槽包括一上部及一下部。上述方法包括依序形成一或多个功函数层、一盖层及一胶层于栅极沟槽上。胶层包括一第一子层及一第二子层，两者对于一蚀刻液具有各自不同的蚀刻速率。上述方法...

本申请提供了纳米结构晶体管的具有增大的角部厚度的栅极氧化物。一种器件包括半导体纳米结构和氧化物层，该氧化物层包括在半导体纳米结构的顶表面和底表面上的水平部分、在半导体纳米结构的侧壁上的垂直部分、以及在半导体纳米结构的角部上的角部部分。水...

公开了方法包括在衬底上方形成第一牺牲层，以及在第一牺牲层上方形成夹层结构。该夹层结构包括第一隔离层、位于第一隔离层上方的二维材料以及位于二维材料上方的第二隔离层。该方法还包括：在夹层结构上方形成第二牺牲层；在二维材料的相对端上形成第一源...

本公开涉及用于极紫外掩模的吸收材料。一种极紫外掩模包括：衬底；反射多层堆叠，位于衬底之上；帽盖层，位于反射多层堆叠之上；图案化吸收层，位于帽盖层的第一部分之上；以及磁性层，位于帽盖层的围绕第一部分的第二部分之上。上。

一种半导体装置的形成方法，包括：布植第一导电类型的多个掺质到半导体基底中，以形成第一井，外延成长通道层于上述半导体基底上，以及形成栅极结构于上述鳍片的通道区域之上。上述半导体基底包括第一半导体材料。布植上述掺质的步骤是在150℃至500...

半导体结构包括具有第一源极/漏极(S/D)部件和第一栅极的第一晶体管；具有第二S/D部件和第二栅极的第二晶体管；设置在第一晶体管和第二晶体管上方的多层互连件；位于第一晶体管和第二晶体管下方的信号互连件；以及位于信号互连件下方并且与信号互...

结构具有位于衬底上方并且邻近介电部件的半导体层的堆叠件。形成包裹每层和介电部件的栅极电介质。在栅极电介质和介电部件上方沉积第一栅电极材料的第一层。介电部件上的第一层凹进至介电部件的顶面下方第一高度。在第一层上方沉积第一栅电极材料的第二层...