制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构技术

一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明专利技术的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。制造半导体结构的方法以及半导体结构。制造半导体结构的方法以及半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构


[0001]本专利技术的实施例涉及制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已生产出几代IC，其中，每一代具有都比上一代更小、更复杂的电路。然而，这些进步增加了IC加工和制造的复杂性，并且对于要实现的这些进步，需要IC加工和制造的类似发展。在IC的发展过程中，功能密度(即每个芯片区域互连器件的数量)普遍增加，而其几何大小(即使用制造工艺中可制造的最小元件)则在减小。
[0003]与IC的其他部件相比，用于各种应用(诸如探针和/或引线接合)的焊盘(下文通常被称为导电接合焊盘)通常具有不同的要求。例如，由于诸如探测或引线接合等动作，导电接合焊盘必须具有足够的大小和强度以承受物理接触。通常同时存在使部件相对较小(大小和厚度均较小)的需求。然而，随着部件变得越来越小和变薄，晶圆中的诸如弯曲或弓曲等变形使得制造部件越来越困难。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种制造半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：接收包括像素区和接合焊盘区的器件衬底；在所述器件衬底的正面中在所述像素区中形成辐射传感器；在所述器件衬底的所述正面上形成互连结构，所述互连结构耦合到所述辐射传感器；将凹槽蚀刻到所述器件衬底的背面中，以去除所述器件衬底的所述接合焊盘区，直到暴露所述互连结构的部分为止，其中，所述凹槽具有凹槽深度，并且所述凹槽的边缘由所述器件衬底的侧壁限定；在所述凹槽中形成导电接合焊盘，所述导电接合焊盘耦合到所述互连结构中的导电部件；形成第一多个层，所述第一多个层覆盖所述导电接合焊盘，对应于所述凹槽的所述边缘而沿着所述器件衬底的所述侧壁延伸，并覆盖所述器件衬底的所述背面，其中，所述第一多个层中的每个基本上是共形的，并且其中，所述第一多个层共同具有小于所述凹槽深度的第一总厚度；以及执行第一CMP(化学机械平坦化)以从所述像素区去除所述第一多个层的部分，以使得所述第一多个层的剩余部分覆盖所述导电接合焊盘。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一多个层引起所述器件衬底的第一衬底弓度，并且执行所述第一CMP以从所述像素区去除所述第一多个层的部分减小所述第一衬底弓度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一CMP从所述像素区去除所述第一多个层中的第一层，并且在所述第一多个层中的覆盖所述像素区的第二层上停止，其中，所述第一层具有第一结构完整性，并且第二层具有大于所述第一结构完整性的第二结构完整性。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一CMP之后，在所述第一多个层的所述剩余部分上方形成第二多个层，所述第二多个层覆盖所述导电接合焊盘并覆盖所述像素区；以及执行第二CMP以平坦化所述第二多个层，从而在所述接合焊盘区和所述像素区上方提供平坦化表面。5.根据权利要求4所述的方法，其中，执行所述第二CMP直到所述第二CMP到达覆盖所述器件衬底的所述正面的第一掩模为止，使得所述第二多个层的所述平坦化表面与所述第一掩模的表面平面。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一多个层包括：形成基底氧化物层，所述基底氧化物层覆盖所述导电接合焊盘，沿着所述器件衬底的所述侧壁延伸并覆盖所述器件衬底的所述背面，所述基底氧化物层具有基底氧化物层厚度；在所述基底氧化物层上方形成氮化物层，所述氮化物层具有氮化物层厚度；以及在所述氮化物层上方形成第一覆盖氧化物层，所述第一覆盖氧化物层具有第一覆盖氧化物层厚度，其中，所述基底氧化物层厚度加上所述氮化物层厚度加上所述第一覆盖氧化物层厚度小于凹槽深度。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁晋玮，陈昇照，匡训冲，李昇展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：