半导体器件包括：底部电极；位于底部电极上方的磁隧道结(MTJ)元件；位于MTJ元件上方的顶部电极；以及邻接MTJ元件的侧壁间隔件，其中底部电极、顶部电极和侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。件的...

本发明的各个实施例针对具有用于暗电流减小的钝化层的图像传感器。器件层位于衬底上面。此外，帽层位于器件层上面。帽层和器件层以及衬底是半导体材料，并且器件层具有比帽层和衬底小的带隙。例如，帽层和衬底可以是硅，而器件层可以是锗或包括锗。光电探...

本公开提供一种半导体装置，例如互补双极接面晶体管结构的实施例。根据本公开的半导体装置包含介电层以及设置在介电层上的鳍片状结构。鳍片状结构包含第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区，以及第一n型掺杂区、第二n型掺杂区以及第三n型...

半导体装置，包括基板；第一半导体通道，位于基板上。第一半导体通道包括第一半导体材料的第一纳米片；第二半导体材料的第二纳米片，物理接触第一纳米片的顶侧表面；以及第二半导体材料的第三纳米片，物理接触第一纳米片的下侧表面。第一栅极结构位于第一...

半导体装置与其制作方法，装置包括鳍状结构于第一隔离区与第二隔离区之间。第一源极/漏极结构形成于第一鳍状结构的凹陷部分上。第一源极/漏极结构与第一隔离区的上表面交界第一距离，并与第二隔离区的上表面交界第二距离。第一距离与第二距离不同。源极...

本发明的半导体装置包括介电鳍状物，包括盖层；栅极结构，位于盖层的第一部分上并沿着方向延伸；以及介电层，与栅极结构相邻并位于盖层的第二部分上。第一部分沿着方向的宽度，大于第二部分沿着方向的宽度。大于第二部分沿着方向的宽度。大于第二部分沿着...

本发明说明一种半导体装置的方法。方法包括形成鳍状结构于基板的第一侧上，形成源极/漏极区以与鳍状结构相邻，形成第一源极/漏极接点结构于基板的第一侧上以接触源极/漏极区，并形成盖结构于第一源极/漏极接点结构上。方法还包括经由盖结构移除第一源...

提供了钝化层和导电通孔，其中在钝化层的材料内，成像能量的透射率增加。透射率的增加允许更大的交联，这有助于增加对在钝化层内形成的开口的轮廓的控制。一旦形成开口，就可以在开口内形成导电通孔。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。半导体...

本公开涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在纳米结构之上形成虚设栅极结构，其中，纳米结构在突出高于衬底的鳍上方，其中，纳米结构包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在纳米结构中在虚设栅极结构的相对...

集成电路器件包括利用无氯前体形成的铁电层。该铁电材料可以是成分HF

一种方法包括形成封装组件，包括：形成介电层；图案化介电层以形成开口；以及形成包括位于该开口中的通孔、导电焊盘和弯曲迹线的再分布线。通孔从导电焊盘竖直偏移。导电焊盘和弯曲迹线位于介电层上方。弯曲迹线将导电焊盘连接到通孔，并且弯曲迹线包括长...

公开了半导体结构及其制造方法。根据本发明的示例性半导体结构包括具有p型阱或n型阱的衬底、位于p型阱上方的第一基部、位于n型阱上方的第二基部、位于第一基部上方的第一多个沟道构件、位于第二基部上方的第二多个沟道构件、设置在第一基部和第二基部...

提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：第一栅极结构，设置在第一后侧介电部件上方；第二栅极结构，设置在第二后侧介电部件上方；栅极切割结构，从第一栅极结构和第二栅极结构之间连续地延伸至第一后侧介电部件和第二后侧介电部件之...

本申请涉及半导体器件的接触插塞结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于衬底之上的栅极堆叠。第一电介质层位于栅极堆叠之上。第一电介质层包括第一材料。第二电介质层位于第一电介质层之上。第二电介质层包括与第一材料...

本公开涉及半导体器件和方法。公开了具有改进的栅极电极结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：位于半导体衬底之上的栅极结构，栅极结构包括：高k电介质层；位于高k电介质层之上的n型功函数层；位于n型功函数层之上的抗反...

本公开的各个实施例针对具有用于良品率改进的沟槽图案的沟槽电容器。沟槽电容器位于衬底上并且包括多个电容器段。电容器段根据沟槽图案延伸到衬底中并且在轴线上以间距隔开。多个电容器段包括位于沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于沟槽电容器的中心...

一种集成电路，包括布置在第一层中的第一对电源轨和第二对电源轨；布置在该第一层上方的第二层中的导电线；以及布置在该第二层上方的第三层中的第一有源区。第一有源区设置为与该第一对电源轨重叠。第一有源区通过导电线中的第一线和第一组通孔耦合到第一...

本发明公开一种用于半导体器件的接口和其接口方法。半导体器件具有用导电连接并堆叠在一起的单个主器件和多个从器件。接口包含主接口，主接口建造于主器件中且包含具有主连接垫矩阵的主接口电路。另外，从接口实施于每一从器件中且包含从接口电路，从接口...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括一个或多个有源半导体组件，其中，正面定义在半导体衬底上方，背面定义在半导体衬底下方。正面电源轨形成于所述半导体器件的正面，并且被配置为接收第一参考电源电压。第一和第二背面电源轨形成于半导体衬底的背...

本公开涉及用于减少线弯曲的金属硬掩模。一种方法包括：在电介质层之上形成包含金属的硬掩模层，其中，该包含金属的硬掩模层具有大于约400MPa的杨氏模量和大于约600MPa的拉伸应力；对该包含金属的硬掩模层进行图案化，以在该包含金属的硬掩模...