本揭露提供一种存储器器件及一种存储器电路。存储器器件包括自旋轨道力矩(spin

本揭示案是关于一种半导体结构，包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；一垂直堆叠，包括安置在该磊...

本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电...

提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。...

本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成延伸穿过多个层的开口；在所述开口中形成衬垫层；以及在所述开口中沉积金属材料，其中，所述金属材料包含杂质，并且通过所述衬垫层作为催化剂的化学反应将所述杂质转化为气态产物。所述杂质...

集成电路，包含第二区的堆叠鳍式场效晶体管及第一区的全绕式栅极晶体管。堆叠鳍式场效晶体管包含两个第一源极/漏极部件、第一半导体层和第二半导体层的堆叠物、第一栅极介电层、第一栅极电极层以及横向设置于第二半导体层与两个第一源极/漏极部件之间的...

一种半导体装置及其制造方法。一示例半导体装置包括：一基板，包括多个顶部分，其中所述顶部分是由一隔离结构所隔离开；多个第一半导体层，位于一第一区域中的该基板的一第一顶部分之上；以及一第一栅极结构，包裹所述第一半导体层的每一者，并覆盖住延伸...

本发明实施例涉及检查光掩模的方法及其装置。一种方法包括：接收光掩模；经由以第一倾斜角穿过所述光掩模将第一辐射束引导到晶片而图案化所述晶片；及检查所述光掩模。所述检查包括：以大于所述第一倾斜角的第二倾斜角将第二辐射束引导到所述光掩模；接收...

本公开涉及具有电介质帽盖层和蚀刻停止层堆叠的互连结构。一种形成半导体器件的方法包括：在设置在衬底之上的第一电介质层中形成第一导电特征；在第一导电特征的远离衬底的上表面之上形成金属帽盖层；在第一电介质层的上表面之上并且与金属帽盖层横向相邻...

公开了用于形成伪凸块下金属化结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括：第一再分布线和第二再分布线，处于半导体衬底上方；第一钝化层，处于第一再分布线和第二再分布线上方；第二钝化层，处于第一钝化层上方；第一凸块下金...

本公开涉及具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成鳍结构，在鳍结构之上形成牺牲栅极结构，以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹部。该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导...

本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法包括：在电介质层之上形成第一心轴和第二心轴；以及在所述第一心轴和所述第二心轴上分别形成第一间隔件和第二间隔件。所述第一间隔件和所述第二间隔件彼此相邻，并且在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间具有...

一种半导体装置的形成方法，在沟槽中形成金属插塞之前，可在沟槽的底部和侧壁上形成金属粘着层。可使用等离子体来改变金属粘着层的相组成，以增加金属粘着层与金属插塞之间的粘着力。特别来说，等离子体可导致金属粘着层的相组成发生变位或转变，使金属粘...

方法包括将第一封装组件接合在第二封装组件上方。第二封装组件包括多个介电层和多个介电层中的多个再分布线。方法还包括：在第二封装组件上分配应力吸收器；固化应力吸收器；以及在第二封装组件和应力吸收器上形成密封剂。本申请的实施例还涉及封装件及其...

本发明涉及集成芯片。集成芯片可以包括具有限定多个鳍的侧壁的半导体衬底。介电材料布置在多个鳍之间，并且栅极结构设置在介电材料上方和多个鳍周围。外延源极/漏极区域设置为沿栅极结构的相对侧，并且分别包括设置在多个鳍上的多个源极/漏极段以及设置...

本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在半导体衬底之上形成源极/漏极接触件，并且栅极电介质帽盖横向地位于源极/漏极接触件之间；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层...

本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括M

本公开涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下步骤来形成图案化层：沉积具有有机组分的第一层，该有机组分具有包括至少50原子...

本公开总体涉及包括含硅层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及一种用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下方式来形成图案化层：沉积具有有机成分的第一层；沉积第二层，该第二层包...