包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法技术

本公开涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下步骤来形成图案化层：沉积具有有机组分的第一层，该有机组分具有包括至少50原子百分比的碳的组分；沉积包括硅的第二层；以及在第二层上沉积光敏层。在一些实施方式中，第一层是通过ALD、CVD或PVD工艺来沉积的。CVD或PVD工艺来沉积的。CVD或PVD工艺来沉积的。

【技术实现步骤摘要】
包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法


[0001]本公开涉及半导体
，更具体地，涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了加工和制造IC的复杂度。
[0003]随着半导体制造工艺期望较小的工艺窗口，器件的元件之间期望的间隔(即间距)减小并且变得越来越难以使用传统的光学掩模和光刻设备来实现。光刻工具的进步可以帮助满足缩小规模的工艺要求。例如，极紫外(EUV)光刻和浸没光刻已被用于支持较小器件的临界尺寸(CD)要求。此外，图案化方法本身已经发展起来，以将期望CD的特征的形成驱动为低于光刻设备本身的能力的形成。尽管光刻设备和图案化进步在许多方面都是合适的，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光刻图案化的方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成目标层；以及形成图案化层，其中，形成所述图案化层包括：沉积具有组分的第一层，该组分包括至少50原子百分比的碳；沉积包括硅的第二层；以及在所述第二层上沉积光敏层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标层是形成在所述衬底之上的层间电介质ILD层。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：对所述光敏层进行图案化，其中，所述图案化限定了要在所述ILD层中形成的金属化层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一层是通过化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD、或物理气相沉积PVD来执行的。5.根据权利要求4所述的方法，其中，沉积所述光敏层是通过旋涂来执行的。6.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积具有所述组分的所述第一层包括：形成非晶碳层。7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述组分包括：通过CVD、ALD或PVD中的至少一者来沉积碳和氢。8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积包括硅的所述第二层...

【专利技术属性】
技术研发人员：童思频，陈浚凯，李资良，苏怡年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：