半导体结构制造技术

本揭示案是关于一种半导体结构，包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；一垂直堆叠，包括安置在该磊晶层的该第二区域之上的纳米薄片层；以及一栅极堆叠，安置在该磊晶层的该第二区域上且环绕该垂直堆叠的这些纳米薄片层。些纳米薄片层。些纳米薄片层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本揭露涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]基于鳍片的场效应晶体管(finFET)中的源极/漏极区域是自鳍片结构的侧表面及其上形成有鳍片结构的半导体基板的顶表面生长。在操作期间，可能在源极/漏极区域与半导体基板之间形成寄生接面电容，此会使finFET的效能降级。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例中，一种半导体结构包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，安置在该磊晶层的该第一区域上；一垂直堆叠，包括安置在该磊晶层的该第二区域之上的纳米薄片层；以及一栅极堆叠，安置在该磊晶层的该第二区域上且环绕该垂直堆叠的这些纳米薄片层。
附图说明
[0004]当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案的态样。
[0005]图1为根据一些实施例的在局部隔离结构之上的环绕式栅极纳米薄片FET的横截面图；
[0006]图2为根据一些实施例的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一介电质，在该基板上；一磊晶层，安置在该介电质上且包括一第一区域及一第二区域，其中该磊晶层的侧壁与该介电质的侧壁对准；一源极/漏极结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：摩尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：