半导体器件及其形成方法技术

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在半导体衬底之上形成源极/漏极接触件，并且栅极电介质帽盖横向地位于源极/漏极接触件之间；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成过孔开口，该过孔开口延穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深过孔开口，使得源极/漏极接触件之一被暴露，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层；以及沉积金属材料以填充经加深的过孔开口。及沉积金属材料以填充经加深的过孔开口。及沉积金属材料以填充经加深的过孔开口。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本公开一般地涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即使用制造工艺能够产生的最小组件(或线路))减小。该缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在所述半导体衬底之上形成源极/漏极接触件，并且所述栅极电介质帽盖位于所述源极/漏极接触件之间；在所述栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在所述抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成过孔开口，该过孔开口延穿过所述ILD层并在到达所述抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深所述过孔开口，使得所述源极/漏极接触件之一被暴露，其中，所述第二蚀刻工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在所述半导体衬底之上形成源极/漏极接触件，并且所述栅极电介质帽盖位于所述源极/漏极接触件之间；在所述栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在所述抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成过孔开口，该过孔开口延穿过所述ILD层并在到达所述抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深所述过孔开口，使得所述源极/漏极接触件之一被暴露，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻所述抗蚀刻层；以及沉积金属材料以填充经加深的所述过孔开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖和所述接触蚀刻停止层是基于氮化物的。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖由与所述接触蚀刻停止层相同的材料形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层是基于氧化物的。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度小于所述接触蚀刻停止层的厚度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度小于所述栅极电介质帽盖的最大厚度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度在1埃至50埃的范围内。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层是使用原子层沉积ALD或等离子体增强化学气相沉积PECVD来沉积的。9.一种形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，吴俊德，王鵬，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：