半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。件开口中形成栅极接触件。件开口中形成栅极接触件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线路))减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层中的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
[0004]根据本公开的另一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层中的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的侧壁是使用氧等离子体来氧化的。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体由O2气体产生。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体由O2气体与以下各项中的一项或多项的气体混合物产生：Ar气体、He气体、Ne气体、Kr气体、N2气体、CO气体、CO2气体、C
x
H
y
F
z
气体、NF3气体、羰基硫COS气体以及SO2气体，其中x、y和z大于0且不大于9。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺使用与所述第一蚀刻工艺中所使用的蚀刻剂不同的蚀刻剂。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是使用由无氢气体混合物产生的等离子体的等离子体蚀刻工艺。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，张亦谆，吴俊德，王谊珍，涂元添，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：