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本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使得所...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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