半导体器件的制作方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底中分别形成第一底部隔离层和第二底部隔离层，第二底部隔离层的厚度小于第一底部隔离层的厚度；在衬底的第一有源区上形成延伸至第一底部隔离层的第一栅极结构，在衬底的第二有源区上形成延伸至第二底部隔离层的第二栅极结构。伸至第二底部隔离层的第二栅极结构。伸至第二底部隔离层的第二栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制作方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]在半导体器件中，为了缩小半导体器件的面积，可以对外围结构(CMOS)中的晶体管进行改进，该晶体管的常规制作工艺为先在有源区的周侧形成浅槽隔离结构，对浅槽隔离结构进行部分刻蚀，然后在有源区上形成栅极，且栅极沿有源区的侧壁延伸至浅槽隔离结构。
[0003]但是，外围结构中包括不同类型的晶体管，不同类型的晶体管的结深不同，而上述制作工艺只能得到相同结深的晶体管，导致半导体器件面积的进一步缩小具有局限性。
[0004]技术问题
[0005]本专利技术提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件，能够获取不同结深的晶体管，且缩小半导体器件的面积。
[0006]技术解决方案
[0007]本专利技术提供一种半导体器件的制作方法，包括：
[0008]在衬底中形成第一浅槽隔离沟槽和第二浅槽隔离沟槽，所述衬底包括间隔设置的第一有源区和第二有源区，所述第一浅槽隔离沟槽位于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制作方法，其中，包括：在衬底中形成第一浅槽隔离沟槽和第二浅槽隔离沟槽，所述衬底包括间隔设置的第一有源区和第二有源区，所述第一浅槽隔离沟槽位于所述第一有源区的周侧，所述第二浅槽隔离沟槽位于所述第二有源区的周侧，所述第一有源区包括间隔设置的第一源极区和第一漏极区，所述第二有源区包括间隔设置的第二源极区和第二漏极区；在所述第一浅槽隔离沟槽中形成第一底部隔离层，并在所述第二浅槽隔离沟槽中形成第二底部隔离层，所述第二底部隔离层的厚度小于所述第一底部隔离层的厚度；形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一源极区和所述第一漏极区之间的第一有源区上，且沿所述第一有源区的相对两侧壁延伸至所述第一底部隔离层上，所述第二栅极结构位于所述第二源极区和所述第二漏极区之间的第二有源区上，且沿所述第二有源区的相对两侧壁延伸至所述第二底部隔离层上。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其中，所述第二浅槽隔离沟槽的开口尺寸大于所述第一浅槽隔离沟槽的开口尺寸；所述在所述第一浅槽隔离沟槽中形成第一底部隔离层，并在所述第二浅槽隔离沟槽中形成第二底部隔离层的步骤，包括：分别在所述第一浅槽隔离沟槽的底部和所述第二浅槽隔离沟槽的底部旋涂隔离材料，使所述第一浅槽隔离沟槽中的隔离材料构成所述第一底部隔离层，所述第二浅槽隔离沟槽中的隔离材料构成所述第二底部隔离层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其中，所述在所述第一浅槽隔离沟槽中形成第一底部隔离层，并在所述第二浅槽隔离沟槽中形成第二底部隔离层的步骤，包括：在所述第一浅槽隔离沟槽中填充第一介质层；在所述第二浅槽隔离沟槽中填充第二介质层；分别对所述第一介质层和所述第二介质层进行刻蚀，使所述第二介质层的刻蚀深度大于所述第一介质层的刻蚀深度，刻蚀后的第一介质层构成所述第一底部隔离层，刻蚀后的第二介质层构成所述第二底部隔离层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其中，所述第一介质层的刻蚀速率小于所述第二介质层的刻蚀速率。5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其中，所述在所述第一浅槽隔离沟槽中填充第一介质层的步骤，包括：在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层中具有与所述第一浅槽隔离沟槽位置相对应的第一镂空结构；通过所述第一镂空结构，在所述第一浅槽隔离沟槽中填充所述第一介质层；去除所述第一掩膜层。6.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其中，所述在所述第二浅槽隔离沟槽中填充第二介质层的步骤，包括：在所述衬底和所述第一介质层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有与所述第二浅槽隔离沟槽位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄腾，华子群，石艳伟，姚兰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：