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本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底中分别形成第一底部隔离层和第二底部隔离层，第二底部隔离层的厚度小于第一底部隔离层的厚度；在衬底的第一有源区上形成延伸至第一底部隔离层的第一栅极结构，在衬底的第二有源区上形...
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