【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行对在衬底的表面露出的膜进行蚀刻的处理的情况(例如，参见专利文献1)。
[0003]伴随半导体器件的规模化、加工尺寸的微细化、复杂化发展，需要重复进行多次包含上述蚀刻处理在内的高精度的图案化工序，这成为成本增加的原因之一。对此，存在在原子层水平进行上述蚀刻处理的技术(以下，也称为原子层蚀刻)，这样的具有高控制性的工艺作为工序数量削减中有效的技术受到关注。以往，与原子层蚀刻相关的技术主要是使用等离子体的方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
160962号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]在以往的由蚀刻气体进行的膜的蚀刻中，蚀刻量取决于蚀刻气体的分压(≈供给量)。因此，蚀刻量因反应系...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其中，通过将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数从而对在衬底的表面露出的第1膜进行蚀刻：(a)向所述衬底供给第1气体，从而在所述第1膜的表面的至少一部分形成第1改性层的工序；和(b)向所述衬底供给分子结构与所述第1气体不同的第2气体，从而通过使所述第2气体与所述第1改性层反应及利用所述第2气体使所述第1改性层活化中的至少一者生成蚀刻种，使用该蚀刻种对所述第1膜的至少一部分进行蚀刻的工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，使所述第1气体的分子的至少一部分物理吸附或化学吸附于所述第1膜的表面的至少一部分，从而形成所述第1改性层。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，通过所述第1气体的分子的至少一部分与所述第1膜的表面的至少一部分的原子或分子的化学反应而生成化合物，从而形成所述第1改性层。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在与所述第2气体与所述第1膜的反应相比所述第2气体与所述第1改性层的反应支配性地发生的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在所述第2气体与所述第1改性层的反应进行而所述第2气体与所述第1膜的反应未进行的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在与由所述第2气体引起的所述第1膜的活化相比、由所述第2气体引起的所述第1改性层的活化处于支配性地位的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在由所述第2气体引起的所述第1改性层的活化进行而由所述第2气体引起的所述第1膜的活化未进行的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在与所述第2气体与所述第1膜的反应相比、由所述蚀刻种引起的所述第1膜的至少一部分的蚀刻支配性地发生的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，在由所述蚀刻种引起的所述第1膜的至少一部分的蚀刻进行而所述第2气体与所述第1膜的反应未进行的条件下，向所述衬底供给所述第2气体。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步在至少一部分被蚀刻的所述第1膜的表面的至少一部分形成第2改性层。11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在第2循环以后的(a)中，通过向所述衬底供给所述第1气体从而使所述第1气体与所述第2改性层反应以将所述第2改性层除去，在所述第2改性层被除去的所述第1膜的表面的至少一部分形成所述第1改性层。12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1膜包括含氮膜、过渡金属膜或半导体膜。13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的表面还露出有
第2膜，通过将所述循环进行规定次数，从而相对于所述第2膜而言选择性地对所述第1膜进行蚀刻。14.根据权利要求13所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：中谷公彦，上野亮太，出贝求，中川崇，桥本良知，广濑义朗，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。