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本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提供提高蚀刻量的控制性的技术。通过将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，对在衬底的表面露出的第1膜进行蚀刻：(a)向衬底供给第1气体，从而在第1膜的表面的至少一部分形成第1改性层的...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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