栅极接触开口的蚀刻轮廓控制制造技术

本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层；以及在经加深的栅极接触开口中形成栅极接触件。在经加深的栅极接触开口中形成栅极接触件。

【技术实现步骤摘要】
栅极接触开口的蚀刻轮廓控制


[0001]本公开总体涉及半导体器件，尤其涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。

技术介绍

[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即使用制造工艺能够产生的最小组件(或线路))减小。该缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]本公开的一个方面提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻所述栅极结构；在经回蚀刻的所述栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在所述栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在所述抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过所述ILD层并在到达所述抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻所述抗蚀刻层；以及在经加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻所述栅极结构；在经回蚀刻的所述栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在所述栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在所述抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过所述ILD层并在到达所述抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻所述抗蚀刻层；以及在经加深的所述栅极接触开口中形成栅极接触件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述抗蚀刻层快的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖由与所述接触蚀刻停止层相同的材料形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖和所述接触蚀刻停止层是基于氮化物的。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层是基于氧化物的。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度小于所述接触蚀刻停止层的厚度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度小于所述栅极电介质帽盖的最大厚度。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀刻层的厚度在约1埃至约50埃的范围内。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在第一栅极结构之上形成第一栅极电介质帽盖，并且在第二栅极结构之上形成第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，王鹏，林焕哲，吴俊德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：