集成电路器件及其形成方法技术

本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。栅极接触件。栅极接触件。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其形成方法


[0001]本公开涉及集成电路器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何形状尺寸(即，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在栅极间隔件之间和半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀所述栅极结构以使其低于所述栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在所述栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在所述栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层并在到达所述栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路器件的方法，包括：在栅极间隔件之间和半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀所述栅极结构以使其低于所述栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在所述栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在所述栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层并在到达所述栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域更快的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的未掺杂区域。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖由与所述接触蚀刻停止层相同的材料形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖和所述接触蚀刻停止层是基于氮化物的。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺将氧、锗、氩、氙或硼注入到所述栅极电介质帽盖中。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域具有比所述接触蚀刻停止层更高的氧浓度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域具有比所述栅极电介质帽盖中的未掺杂区域更高的氧浓度。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行所述离子注入工艺之后，对所述栅极电介质帽盖执行退火工艺。9.一种形成集成电路器件的方法，包括：在第一栅极结构之上形成第一栅极电介质帽盖，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，吴俊德，王鹏，林焕哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：