存储器器件及存储器电路制造技术

本揭露提供一种存储器器件及一种存储器电路。存储器器件包括自旋轨道力矩(spin

【技术实现步骤摘要】
存储器器件及存储器电路


[0001]本揭露涉及一种存储器器件及存储器电路。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件包括电子存储器。电子存储器可为易失性存储器(volatile memory)或非易失性存储器(non
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volatile memory)。非易失性存储器能够在没有电力的情况下保留数据，而易失性存储器在断电时会丢失数据。应用电子自旋(electron spin)效应来存储数据的磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random
‑
access memory，MRAM)因优于当前电子存储器而有潜力成为下一代非易失性电子存储器。与当前非易失性存储器(例如闪速随机存取存储器(flash random
‑
access memory))相比，MRAM速度更快且具有更好的耐久性。与当前易失性存储器(例如动态随机存取存储器(dynamic random
‑
access memory，DRAM)及静态随机存取存储器(static random
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：自旋轨道力矩层；磁性穿遂结，站立在所述自旋轨道力矩层上；读取字线，电连接到所述磁性穿遂结；选择器；以及写入字线，通过所述选择器连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：江宏礼，林仲德，林世杰，陈自强，宋明远，黄汉森，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：