一种像素阵列可包含多个像素区域，所述多个像素区域包含第一像素区域及第二像素区域。像素阵列可包含在所述多个像素区域上方的金属格栅结构。像素阵列可包含光阻挡层。光阻挡层的第一部分可以在第一像素区域上方并且在金属格栅结构下方。第一部分可具有第...

本公开涉及用于优化集成电路的布局的方法。本公开中提供了一种方法。该方法包括几个操作：生成具有用于集成电路的多个宏的布局；根据插入在引脚之间的通道区域来调整宏；将宏用通道区域的通道宽度分开；以及根据宏与多个寄存器之间的相关性来调整布局中的...

本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6

本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的第一器件区域中，在突出高于衬底的第一鳍之上形成第一纳米结构；在半导体器件的第二器件区域中，在突出高于衬底的第二鳍之上形成第二纳米结构，其中，第...

本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅...

提供了一种集成电路上的单元。该单元包括：鳍结构；中间鳍结构连接金属轨道，布置在鳍结构上面的中间鳍结构连接金属层中，中间鳍结构连接金属轨道连接至鳍结构；以及第一中间栅极连接金属轨道，布置在中间鳍结构连接金属层上面的中间栅极连接金属层中，第...

一种用于为直接飞行时间传感器阵列中的每个像素提供对假光子计数事件进行滤波的装置及方法。在一些实施例中，所述装置包括：光源，被配置成向物体发射调制信号；直接飞行时间(DTOF)传感器阵列，被配置成接收来自物体的反射信号，其中直接飞行时间传...

公开了一种集成电路及其形成方法。该集成电路包括第一对电源轨、导电线组和第一组有源区，导电线组与第一对电源轨平行地被布置在第一层中。该集成电路还包括第一栅极，第一栅极在第二方向上被布置在第一对电源轨之间且穿过布局视图中的第一组有源区，其中...

本申请的各个实施例涉及金属

本发明的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力...

一种集成电路(IC)结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一有源区域和安置在第一有源区域上的第一栅极，其中，第一栅极沿平行于第一有源区域的纵向方向的第一方向具有第一有效栅极长度。第二晶体管包含第二有源区域和安置在第二有源区域上...

本发明的实施例提供了一种集成电路、集成电路上的电源门控单元及其制造方法。电源门控单元包括：中心区域；围绕中心区域的周边区域；第一有源区域位于中心区域，所述第一有源区域在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度对应于在垂直于所述第一方向的第二...

一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的...

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；多个导电构件，其位于所述衬底上方；及隔离结构，其在导电构件之间且使所述导电构件彼此分离。所述导电构件中的每一者包含第一金属层及二维材料层。另一半导...

本公开描述了具有预充电电路的存储器件的实施例。存储器器件可以包括存储器单元，并且预充电电路可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极端子，耦接到参考电压的第一源极/漏极(S/D)端子以及耦接到存储器单元的第一端子的第二S/D...

一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法，特别是具有用于阻挡电子泄漏且提高阈值电压的后势垒层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。在一个实施例中，一种半导体装置包含：氮化镓(GaN)层；在氮化镓层上方的前势垒层；在前势垒层上方形成的源电...

提供一种对半导体工件进行回焊的系统，所述系统包括平台、第一真空模块及第二真空模块、以及能量源。平台包括基座及连接到基座的突出部，平台以可移动的方式沿着平台的高度方向以相对于半导体工件移动，突出部以可操作的方式固持及加热半导体工件，突出部...

本公开提供一种半导体装置。根据一个实施例的半导体装置包括包含顶部表面的介电层、设置于介电层中且包含多个顶部电极的多个磁阻式存储器单元、设置于介电层上方的第一蚀刻停止层、延伸穿过第一蚀刻停止层以直接接触多个顶部电极的共同电极、以及设置于第...

本公开实施例提供一种半导体晶圆支撑装置、加工系统及半导体晶圆转移方法。半导体晶圆支撑装置包括升降销。升降销具有配置以与半导体晶圆的背面接触的第一端以及至少一应力降低特征。应力降低特征可配置以降低升降销与晶圆之间的接触应力。晶圆之间的接触...

形成半导体结构的方法包括：提供结构，该结构具有衬底和位于衬底的表面上方并且彼此垂直间隔开的半导体层的堆叠件；形成包裹半导体层的每个的界面层；在界面层上方形成包裹半导体层的每个的高k介电层；以及在高k介电层上方形成包裹半导体层的每个的覆盖...