一种封装结构及其形成方法，包括形成导电结构于载体基板之中；形成重分布结构于载体基板之上，重分布结构具有含聚合物层及导电部件；接合芯片结构于重分布结构之上；形成保护层于重分布结构之上以包围芯片结构；以及形成导电连接器于载体基板的表面上，载...

本公开提供了一种互连结构、半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；第一金属线，位于所述衬底上方并且沿第一方向延伸；保护层，衬垫所述第一金属线的侧壁；第二金属线，位于所述第一金属线上并且沿所述第一方向延伸；第三金属线，位于所述第二...

本发明实施例涉及半导体制造系统、行为辨识装置及半导体的制造方法。根据本发明的一些实施例，一种用于辨识半导体制造设备的行为的行为辨识装置包含存储装置及控制单元。所述存储装置经配置以存储所述半导体制造设备的日志数据。所述控制单元协同连接到所...

提供了封装结构及其形成方法。一种方法包括在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器。使用第一电连接器，将集成电路管芯接合至插件晶圆的第一面。邻近集成电路管芯，将加强件结构连接至插件晶圆的第一面。在平面图中，加强件结构覆盖第二电连...

一种半导体装置，包括源极区域及漏极区域，彼此横向隔开，且位于基板之上；金属氧化物半导体通道层，位于该源极区域及该漏极区域之上，并接触该源极区域及该漏极区域；第一栅极介电层，位于该金属氧化物半导体通道层的一部分之上；第一栅极电极，位于该第...

提供一种封装结构及其制作方法。所述方法包括：通过混合结合将第一管芯及第二管芯结合到晶片的第一管芯区中的所述晶片；将第一虚设结构结合到所述第一管芯区中的所述晶片及所述晶片的第一切割道；以及沿所述第一切割道使所述晶片及所述第一虚设结构单体化...

本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方...

提供一种包括第一半导体管芯、中介层及第一绝缘包封体的结构。第一半导体管芯包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的内连线结构及设置在内连线结构上的导通孔。中介层包括介电层及穿透过介电层的穿孔。第一绝缘包封体在侧向上包封第一半导体管芯及中介层，...

一种用于测试半导体器件的方法、用于测试半导体器件的系统以及可读存储介质被揭露，所述方法包括：在一组测试中的一者中获得在半导体器件上测量的结果；将所述结果与在先前在所述一组测试中的一者或多者中测量的相应结果中确定的最大值及在先前在所述一组...

一种集成电路(IC)包括位于半导体层中的源极区和漏极区。沟道区位于源极区与漏极区之间。传感阱位于半导体层的背面上和沟道区的上方。互连结构位于半导体层的与半导体层的背面相对的正面上。生物传感膜内衬于传感阱并与传感阱的由半导体层限定的底面接...

提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，半导体结构包括：外延源极部件和外延漏极部件；沟道构件的垂直堆叠件，设置在背侧介电层上方，沟道构件的垂直堆叠件沿方向在外延源极部件和外延漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹沟道构件的垂直堆叠件的每个；...

提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括提供工件，工件包括：位于该工件的第一区域中的第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；位于该工件的第二区域中的第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件；位于第一伪栅极堆叠件、第二伪栅极堆叠件、第三伪栅极堆...

本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构可包括基板、位于基板上方的鳍片结构、位于鳍片结构上方的栅极结构、形成于鳍片结构中并邻近于栅极结构的第一内间隔层、以及延伸穿过第一内间隔层的第二内间隔层。延伸穿过第一内间隔层的第二内间隔层。...

一种半导体结构，包括一个或多个沟道层；接合一个或多个沟道层的栅极结构；连接到一个或多个沟道层的第一侧并与栅极结构相邻的第一源极/漏极部件；设置在第一源极/漏极部件上方的第一电介质帽，其中，第一电介质帽的底表面在栅极结构的顶表面下面；设置...

本发明提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明，半导体器件包含：具有第一区域及第二区域的衬底；沿衬底的第一区域及第二区域上方的方向延伸的多个鳍结构；第一区域中的第一晶体管及第二晶体管；设置在第一晶体管与第二晶体管之间的第一隔离结构；第二...

本公开提供半导体装置的一些实施例。本公开依据一些实施例提供的半导体装置包含细长的半导体构件，细长的半导体构件沿着第一方向纵向延伸并且被隔离特征环绕。半导体装置还包含第一源极/漏极特征以及第二源极/漏极特征，前述特征位于细长半导体构件的顶...

根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该通风部件区域包括多个通风部件。本...

一种制造一半导体装置的方法包括与以下操作有关的步骤：将一晶体管的源极及漏极阱形成于一半导体基板中；将该晶体管的一栅极电极形成于该半导体基板上；将一隔离结构形成于该半导体基板中，该隔离结构邻近于该晶体管；以及将一第一层间介电质(inter

本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。结构中至...

本发明的各种实施例涉及形成存储器单元的方法。在一些实施例中，将存储器膜沉积在衬底上方，该存储器膜包括底部电极层、顶部电极层以及在顶部电极层与底部电极层之间的数据存储膜。在存储器膜上方沉积硬掩模膜，该硬掩模膜包括导电硬掩模层。图案化顶部电...