封装结构的制造方法技术

技术编号:31479111 阅读:27 留言:0更新日期:2021-12-18 12:12
提供一种封装结构及其制作方法。所述方法包括:通过混合结合将第一管芯及第二管芯结合到晶片的第一管芯区中的所述晶片;将第一虚设结构结合到所述第一管芯区中的所述晶片及所述晶片的第一切割道;以及沿所述第一切割道使所述晶片及所述第一虚设结构单体化,以形成堆叠集成电路(IC)结构。叠集成电路(IC)结构。叠集成电路(IC)结构。

【技术实现步骤摘要】
封装结构的制造方法


[0001]本公开实施例涉及一种封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于对集成电路(integrated circuit,IC)的开发,半导体行业已因各种电子组件(即晶体管、二极管、电阻器、电容器等)集成密度的不断提升而经历连续快速成长。最重要的是,集成密度的这些提升是源自最小特征大小的不断减小,而使得更多的组件能够集成到给定面积中。
[0003]这些集成度提升本质上是从二维(two

dimensional,2D)层面来说,原因在于集成组件所占据的面积主要位于半导体晶片的表面上。密度的增加及集成电路的面积的相应减小一般来说超出了将集成电路芯片直接结合到衬底上的能力。中介层(interposer)可用来将球接触面积从芯片重布线到中介层的更大面积。此外,中介层已可包含多个芯片的三维(three

dimensional,3D)封装。还已开发出其他封装来并入三维方面。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提出一种封装结构的制造方法,其特征在于包括:通过混合结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制造方法,其特征在于包括:通过混合结合将第一管芯及第二管芯结合到晶片的第一管芯区中的所述晶片;将第一虚设结构结合到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈明发叶松峯刘醇鸿史朝文
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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