【技术实现步骤摘要】
一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法
[0001]本专利技术属于半导体集成电路封装测试领域,涉及一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路引线框架类产品封装过程中,由于铜易氧化,正常状态下的铜表面会有一层氧化膜,无法直接在铜表面进行引线键合,为了满足与芯片引线键合要求,一般会在铜引线框架载体及内引脚表面镀银。芯片粘接在引线框架上后,用键合丝在芯片焊盘和引线框架镀银层上键合实现电气通路,最后塑封、电镀、激光打标及成型。
[0003]但是,铜引线框架上镀银表面与塑封料的界面结合力弱于铜表面与塑封料的结合力,在后续产品加工过程和使用过程中产生的应力以及塑封体本身应力的作用下,引线框架类塑封产品镀银与塑封料之间易发生分层现象,并且,分层一旦发生会成为潮气入侵的通路或分层扩展的源头,最终导致塑封器件失效。
技术实现思路
[0004]为了克服上述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,使无预镀铜引线框架表面可实现引线键合, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,包括:步骤1,对无预镀层引线框架载体进行去氧化处理,去除表面氧化层;步骤2,通过电火花,将劈刀口的预留金线熔融成金球;步骤3,通过键合压力、超声功率将金球压扁于引线框架载体表面,使金焊球成型,同时,成型的金焊球与引线框架载体表面生成金属间化合物,形成键合界面;步骤4,将金线沿金焊球尾部切断,在引线框架载体表面上载体地线键合点或引线框架内引脚键合点形成金焊球;步骤5,在预植好金焊球的引线框架载体完成上芯固化;步骤6,进行芯片焊盘、引线框架载体以及引线框架内引脚的引线键合;其中,无预镀层区域引线键合在预植的金焊球上。2.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法,其特征在于,步骤2中,通过电火花的电流时间工艺参数包括:烧球电流为28~32mA、烧球直径为2.4~2.8mil。3.根据权利要求1所述的一种实现无预镀层引线框架表面引...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈中洲,张波,王子相,
申请(专利权)人:西安微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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