本发明提供一种温度传感装置以及温度传感方法。温度传感装置包括传感器以及模拟数字转换器。传感器基于第一条件产生对应于环境温度的第一传感结果并基于第二条件产生对应于环境温度的第二传感结果。第二传感结果不同于第一传感结果。模拟数字转换器对第一...

本公开涉及芯片封装结构、半导体结构及其形成方法。该芯片封装结构包括有机中介载板，包括内埋重分布互连结构的聚合物基质层、封装侧凸块结构、以及通过相应的凸块连接通孔结构连接到重分布互连结构中的远端子集的晶粒侧凸块结构。至少一金属屏蔽结构可横...

提供用于有效吸集杂质的半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括：基板；像素区，设置于基板中；隔离区，设置于基板中且邻近像素区内，其中隔离区包含晶种区，晶种区包含第一半导体材料；以及异质层，位于晶种区上，其异质层包含第二半导...

一种存储器装置的制造方法，包括在基板中形成导孔沟槽，并在导孔沟槽中形成导孔。导孔的下部包括第一金属，导孔的上部包括与第一金属不同的第二金属。此方法还包括在导孔上方形成磁性穿隧接面，并在磁性穿隧接面上方形成顶电极。电极。电极。

本公开说明半导体结构与其形成方法。半导体结构可包含基板、具有第一高度与第一宽度的第一鳍状结构形成于基板上、具有第二高度与第二宽度的第二鳍状结构形成于基板上、与绝缘堆叠形成于第一鳍状结构与第二鳍状结构的下侧部分上。第二高度可实质上等于第一...

本公开描述一种制造半导体装置的方法，即形成具有控制掺杂的栅极介电层的半导体装置及形成具有不同阈值电压的多个装置的方法。方法包括在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成缓冲层，及在缓冲层上形成包括掺杂剂的掺杂剂来源层。栅极介电层在鳍...

一种液体供应系统以及液体供应方法。液体供应方法包含使用一液体供应系统提供一液体至一第一晶圆上，其中该液体供应系统具有一液体容置槽、一喷头以及一第一过滤器，该液体供应系统用以使该液体从该液体容置槽经该第一过滤器而流至该喷头；停止提供该液体...

本公开提供一种热点预测方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：取得布局图形，并从布局图形中撷取多个局部图形；定义对布局图形进行光刻所使用光源的光源图；以及利用图形分类算法分析各个局部图形与光源图的相关性，并根据此相关性预测局部图形中的...

通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。本发明还...

本发明提供半导体器件及其形成方法。根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：多个沟道构件，设置在衬底上方；多个内部间隔件部件，与多个沟道构件交错；栅极结构，包裹多个沟道构件的每个；以及源极/漏极部件。源极/漏极部件包括：第一外延层，与衬底...

提供了一种集成电路及其操作方法。一种集成电路包括：纠错码编码器，被配置为响应于第一数据集合生成第一校验位集合；第一反相器集合，耦合至纠错码编码器并且被配置为响应于第一校验位集合生成第二校验位集合；以及第一存储器单元阵列。第二校验位集合与...

提供了用于包括位线和连接至位线的多个计算单元的存储器内计算电路的系统和方法。多个计算单元中的每个包括：存储器元件，具有数据输出端子；逻辑元件，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其中，第一输入端子耦合至存储器元件的数据输出端子，第...

一种半导体装置，包含基板；井，为第一导电型且包含第一导电型的防击穿层；源极特征以及漏极特征，在防击穿层上且为第二导电型；条状特征，在井上且为第一导电型；多个垂直堆叠的通道层，在防击穿层上且将源极特征连接至漏极特征；栅极，环绕每个通道层；...

提供存储器电路以及控制存储器阵列的唤醒操作的方法。存储器电路可以包括具有多个存储器单元的存储器阵列、第一逻辑电路、第一开关电路、第一锁存器电路和第二开关电路。第一逻辑电路为多个存储器单元中的第一存储器单元生成第一位线预充电信号，响应于睡...

提供了存储器系统及控制其睡眠操作的方法。存储器系统可包括具有存储器单元和字线驱动器的存储器阵列，存储器阵列接收字线时钟信号，字线时钟信号使能和禁能该存储器单元的存储器读取和写入操作。存储器阵列还可包括耦合在字线驱动器和电源之间的开关电路...

公开了一种存储器电路，包括多个字线、耦合至多个字线的字线驱动器以及耦合至多个字线的升压电路。该字线驱动器被配置为在多个字线的第一字线上输出第一字线信号，并且升压电路包括被配置为承载第一电源电压的第一节点，并被配置为响应于脉冲信号和第一字...

公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一...

提供了用于存储器器件的系统和方法。存存储器器件包括：存储器阵列；列选择电路，耦接至存储器阵列，其中列选择电路被配置为生成列选择信号；以及感测放大器，被配置为从存储器阵列接收数据信号。使能信号生成电路被配置为生成第一使能信号和第二使能信号...

提供半导体装置结构。半导体装置结构包含基底、在基底上方的第一鳍片结构以及在基底的第一区域上方的铁电场效晶体管(FeFET)装置。铁电场效晶体管包含跨过第一鳍片结构的第一栅极堆叠。半导体装置结构还包含在第一栅极堆叠旁的多个第一栅极间隔层以...

在实施例中，一种集成电路器件包括：中介层；第一集成电路器件，利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；第二集成电路器件利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；缓冲层，围绕第一集成电路器件和第二集成电路器件，缓冲层包括具有第...