提供了一种半导体结构及其形成方法。一种方法包括在导电特征之上沉积电介质层。图案化电介质层以在其中形成开口。开口暴露导电特征的第一部分。在开口的侧壁上沉积第一阻挡层。导电特征的第一部分在沉积第一阻挡层结束时保持暴露。保持暴露。保持暴露。

一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体...

一种像素阵列与其制造方法，像素阵列包含一像素感测器以及一聚二甲基硅氧烷层，聚二甲基硅氧烷层位于该像素感测器上方，其中该聚二甲基硅氧烷层的一表面包含多个结构，每一结构具有小于要由该像素感测器感测的一入射光的一波长的一各别宽度。一波长的一各...

本文揭示内容揭示一种电压放大器、放大输入电压的方法及其系统，是关于基于串接电荷泵浦升压的放大输入电压的系统及方法。在一态样中，根据输入电压将第一电荷储存于第一电容器以获得第二电压。在一态样中，根据储存于第一电容器的第一电荷来放大第二电压...

本文关于一种存储系统及操作存储系统的方法，存储系统包括单位储存电路。单位储存电路中每一个邻接单位储存电路中邻近的一个。单位储存电路中每一个包括第一存储单元群组；第二存储单元群组；第一子字元线驱动器，其用来经由沿一方向延伸的第一子字元线将...

一种浸润式光刻系统的使用方法，包括：通过在平行于晶圆台的顶面的平面中移动晶圆台以校准浸润罩；移动晶圆台，以将浸润罩设置于晶圆台上的粒子捕获区域上；移动晶圆台，以在粒子捕获区域上定义二维选路轨迹以及在粒子捕获区域上定义了二维选路轨迹后，移...

一种半导体元件结构包括：源极/漏极特征，包含第一表面、与第一表面相对的第二表面、及将第一表面连接到第二表面的侧壁；介电层，与源极/漏极特征的第二表面接触；半导体层，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、及将第一表面连接到第二表面的侧壁...

本案揭示一种记忆体装置，记忆体装置包括配置于第一列中的第一开关及多个第一记忆体单元、配置于第二列中的第二开关及多个第二记忆体单元、第一数据线及第二数据线。第一数据线耦接至第一记忆体单元及第二记忆体单元。第二数据线耦接连接至第一记忆体单元...

本揭露内容描述一种制作半导体元件的方法。此半导体元件的制作方法包含在鳍状结构上形成S/D区、在S/D区上形成包含金属的S/D触点结构、在S/D触点结构上形成包含硅及金属的阻挡层、及在阻挡层上形成通孔触点结构。阻挡层阻止在S/D触点结构中...

本揭露描述一种半导体元件，具有扩散阻障层的半导体元件的形成方法包含在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成功函数堆叠、降低在功函数堆叠中的碳浓度、在功函数堆叠上形成阻障层以及在阻障层上形成金属层。阻障层阻挡杂质扩散至功函数堆叠、栅...

一种形成半导体元件的方法，包括：在介电层上沉积膜。介电层位于第一鳍片及第二鳍片上方，并且在第一鳍片与第二鳍片之间的沟槽内。方法进一步包括：蚀刻膜的顶部；在蚀刻膜的顶部之后，对介电层执行处理以去除杂质；以及在膜的保留部分上填充沟槽。处理包...

一种提供沟槽隔离的方法包括以下步骤。一个或多个半导体处理工具可在硅晶片内形成深沟槽。所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽内沉积第一绝缘材料。在硅晶片内形成深沟槽之后，所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽上方形成浅沟槽。所述一个或多个...

一种感应耦合电浆设备及其操作方法，感应耦合电浆设备包含反应室、线圈以及晶圆基座。反应室具有本体以及介电板体，其中本体以及介电板体定义一空间，其中介电板体具有凹槽，凹槽朝向该空间。线圈设置于该介电板体背向该空间的表面。晶圆基座设置于该空间...

本公开实施例是有关于一种存储器装置、一种存储器装置结构及其形成方法。一种磁性隧道结(MTJ)存储器单元，包括连接通孔结构、设置在连接通孔结构上的底部电极、设置在底部电极上的存储器材料堆叠以及设置在存储器材料堆叠上的导电接触结构，其中导电...

本发明说明形成具有电源轨的堆叠半导体装置的方法和集成电路的形成方法。方法包括形成堆叠半导体装置于基板的第一表面上。堆叠半导体装置包括第一鳍状结构；隔离结构，位于第一鳍状结构上；以及第二鳍状结构，位于第一鳍状结构上并接触隔离结构。第一鳍状...

本揭露描述用于在集成电路上实施的优化电路合成的计算机实施方法、计算机实施系统及计算机可读媒体。电路的逻辑行为的寄存器传输级代码描述被输入。将寄存器传输级代码描述转换成用于多种类型的组件及特征尺寸技术的结构上界定的电路设计。产生每一结构上...

一种存储器单元结构，包括设置在衬底之上的介电顶盖层及设置在介电顶盖层之上的第一介电层。存储器单元结构可还包括设置在第一介电层之上的缓冲层、嵌置在缓冲层、第一介电层及介电顶盖层中的连接通孔结构。存储器单元结构可还包括底部电极及磁性隧道结(...

一些实施例涉及一种存储装置及其形成方法。所述存储装置包括上覆在衬底上的第一电极。数据储存层上覆在第一电极上。第二电极上覆在数据储存层上。在数据储存层内能够选择性地形成导电桥以将第一电极耦合到第二电极。活性金属层设置在数据储存层与第二电极...

在本发明实施例中，一种半导体封装包括中介件、管芯、保护层、多个第一电连接件及第一模制材料。管芯包括第一表面及与第一表面相对的第二表面，且管芯通过第一表面结合到中介件。保护层设置在管芯的第二表面上。第一电连接件设置在管芯旁边。第一模制材料...

本揭露涉及一种包括衬底的图像传感器。光电探测器位于衬底中。沟槽位于衬底中且由衬底的侧壁及上表面界定。第一隔离层沿着衬底的界定沟槽的侧壁及上表面延伸。第一隔离层包含第一介电材料。第二隔离层位于第一隔离层之上。第二隔离层加衬于第一隔离层。第...