制作半导体元件的方法技术

本揭露内容描述一种制作半导体元件的方法。此半导体元件的制作方法包含在鳍状结构上形成S/D区、在S/D区上形成包含金属的S/D触点结构、在S/D触点结构上形成包含硅及金属的阻挡层、及在阻挡层上形成通孔触点结构。阻挡层阻止在S/D触点结构中的金属向通孔触点结构的扩散。扩散。扩散。

【技术实现步骤摘要】
制作半导体元件的方法


[0001]本揭露是关于一种制作半导体元件的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的演进，对更高储存容量、更快处理系统、更高性能、及更低成本的需求已不断增加。为了满足这些需求，半导体产业继续缩小半导体元件的尺寸规模，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、包含平面 MOSFET、及鳍状结构场效应晶体管(finFET)。此按规模缩小已增加半导体制造制程的复杂性。

技术实现思路

[0003]在本揭露的一些实施例中，一种制作半导体元件的方法包含在鳍状结构上形成源极/漏极(S/D)区、在S/D区上形成包含金属的S/D触点结构、在S/D触点结构上形成包含硅及金属的阻挡层、及在阻挡层上形成通孔触点结构。阻挡层阻止在S/D触点结构中的金属向通孔触点结构的扩散。
附图说明
[0004]当与随附图示一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。
[0005]图1例示根据一些实施例，半导体元件的等角视图；
[0006]图2A至2C例示根据一些实施例，在源极/漏极(S/D本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一鳍状结构上形成一源极/漏极(S/D)区；在该S/D区上，形成包括一金属的一S/D触点结构；在该S/D...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾信翔，叶啟瑞，江宗育，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：