半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个并行的伪栅极，以及位于所述伪栅极两侧的侧部结构，其中，所述基底包括隔离区，所述隔离区的延伸方向与所述多个并行的伪栅极相交；去除相交于所述隔离区内的伪栅极，形成横切所述多个并行的伪栅极的初始横切隔离沟槽；去除所述隔离区内的侧部结构，形成目标横切隔离沟槽；形成填充所述目标横切隔离沟槽的横切隔离结构。所述方法提高了器件的性能。所述方法提高了器件的性能。所述方法提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(Short Channel Effects，SCE)更容易发生。
[0003]因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个并行的伪栅极，以及位于所述伪栅极两侧的侧部结构，其中，所述基底包括隔离区，所述隔离区的延伸方向与所述多个并行的伪栅极相交；去除相交于所述隔离区内的伪栅极，形成横切所述多个并行的伪栅极的初始横切隔离沟槽；去除所述隔离区内的侧部结构，形成目标横切隔离沟槽；形成填充所述目标横切隔离沟槽的横切隔离结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧部结构至少包括形成在所述伪栅极侧部的侧墙。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧部结构还包括位于所述侧墙之间的层间介质层。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离区覆盖所述多个并行的伪栅极的部分结构，以及所述多个并行的伪栅极之间的部分侧部结构。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离区还覆盖位于所述隔离区边缘的伪栅极靠近所述隔离区边缘一侧的侧墙。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，同时执行所述去除相交于所述隔离区内的伪栅极和所述去除所述隔离区内的侧部结构。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，同时执行所述去除相交于所述隔离区内的伪栅极和所述去除所述隔离区内的侧部结构，包括：在所述基底上形成图形化的隔离掩膜层，所述隔离掩膜层暴露所述隔离区；以所述隔离掩膜层为掩膜，刻蚀去除相交于所述隔离区内的伪栅极和所述隔离区内的侧部结构。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除相交于所述隔离区内的伪栅极和所述隔离区内的侧部结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺中，刻蚀去除伪栅极采用的工艺气体为含氯气体，压力为50mt～100mt；刻蚀去除侧部结构采用的工艺气体为含氟气体，压力为0mt～20mt。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含氯气体包括氯气，所述氯气的流量为0sccm～300sccm；所述含氟气体包括CH2F2和CF4，CH2F2的流量为0sccm～50sccm，CF4的流量为60sccm～100sccm。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极上还形成有硬掩膜层，所述侧部结构与所述硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂武涛，陈建，王彦，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：